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High-Speed InP/InGaAsSb DHBT on High-Thermal-Conductivity SiC Substrate
IEEE electron device letters, 2018-06, Vol.39 (6), p.807-810
2018
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InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors with Record ft of 813 GHz
IEEE electron device letters, 2020-05, p.1-1
2020
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InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors With Record f t of 813 GHz
IEEE electron device letters, 2020-05, Vol.41 (5), p.697-700
2020
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Improvement of High-Frequency Characteristics of InGaAsSb-Base Double Heterojunction Bipolar Transistors by Inserting a Highly Doped GaAsSb Base Contact Layer
IEEE electron device letters, 2015-07, Vol.36 (7), p.657-659
2015
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A New Methodology to Analyze Carrier Transport Properties for In x Ga 1− x As Quantum-Well High-Electron Mobility Transistors From Transconductance in Saturation
IEEE electron device letters, 2023-02, Vol.44 (2), p.229-232
2023
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A New Methodology to Analyze Carrier Transport Properties for In x Ga1− x As Quantum-Well High-Electron Mobility Transistors From Transconductance in Saturation
IEEE electron device letters, 2023-01, Vol.44 (2), p.229
2023
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A New Methodology to Analyze Carrier Transport Properties for InxGa1−xAs Quantum-Well High-Electron Mobility Transistors From Transconductance in Saturation
IEEE electron device letters, 2023-02, Vol.44 (2), p.229-232
2023
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Composition- and Doping-Graded-Base InP/InGaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors Exhibiting Simultaneous \(f\) and \(f}\) of Over 500 GHz
IEEE electron device letters, 2014-12, Vol.35 (12), p.1209-1211
2014
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nm InAlAs/InGaAs High-Electron- Mobility Transistors With a g mmax of 3 S/mm and f} of 559 GHz
IEEE electron device letters, 2018-11, Vol.39 (11), p.1640-1643
2018
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{L}_{{g}} = {87}$ nm InAlAs/InGaAs High-Electron- Mobility Transistors With a g m_max of 3 S/mm and $f_{{T}}$ of 559 GHz
IEEE electron device letters, 2018-11, Vol.39 (11), p.1640-1643
2018
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Impact of the Source-to-Drain Spacing on the DC and RF Characteristics of InGaAs/InAlAs High-Electron Mobility Transistors
IEEE electron device letters, 2018-12, Vol.39 (12), p.1844-1847
2018
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A Comprehensive Benchmarking Method for the Net Combination of Mobility Enhancement and Density-of-States Bottleneck
IEEE electron device letters, 2021-06, Vol.42 (6), p.804-807
2021
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[Formula Omitted]nm InAlAs/InGaAs High-Electron- Mobility Transistors With a g m_max of 3 S/mm and [Formula Omitted] of 559 GHz
IEEE electron device letters, 2018-01, Vol.39 (11), p.1640
2018
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