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New Hot-Carrier Injection Mechanism at Source Side in Nanoscale Floating-Body MOSFETs
IEEE electron device letters, 2009-01, Vol.30 (1), p.54-56
2009
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A Novel Approach in Separating the Roles of Electrons and Holes in Causing Degradation in Hf-Based MOSFET Devices by Using Stress-Anneal Technique
IEEE electron device letters, 2007-02, Vol.28 (2), p.132-134
2007
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Electrical performance and reliability improvement by using compositionally varying bi-layer structure of PVD HfSixOy dielectric
IEEE electron device letters, 2005-03, Vol.26 (3), p.166-168
2005
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Optimized NH3 annealing Process for high-quality HfSiON gate oxide
IEEE electron device letters, 2004-07, Vol.25 (7), p.465
2004
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Hafnium Titanate bilayer structure multimetal dielectric nMOSCAPs
IEEE electron device letters, 2006-04, Vol.27 (4), p.225-227
2006
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A Study of Strain Engineering Using CESL Stressor on Reliability Comparing Effect of Intrinsic Mechanical Stress
IEEE electron device letters, 2009-07, Vol.30 (7), p.760-762
2009
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Metal Gate-HfO2 MOS structures on GaAs substrate with and without Si interlayer
IEEE electron device letters, 2006-03, Vol.27 (3), p.145-147
2006
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Low-Frequency Noise After Channel Soft Oxide Breakdown in @@iHfLaSiO@ Gate Dielectric
IEEE electron device letters, 2009-05, Vol.30 (5), p.523-525
2009
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Positive bias temperature instability effects of Hf-based nMOSFETs with various nitrogen and silicon profiles
IEEE electron device letters, 2005-01, Vol.26 (1), p.32-34
2005
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Optimized NH(3) annealing Process for high-quality HfSiON gate oxide
IEEE electron device letters, 2004-07, Vol.25 (7), p.465-467
2004
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Aggressively scaled ultra thin undoped HfO(2) gate dielectric (EOT < 0.7 nm) with TaN gate electrode using engineered interface layer
IEEE electron device letters, 2005-07, Vol.26 (7), p.454-457
2005
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Aggressively scaled ultrathin undoped HfO2 gate dielectric (EOT < 0.7 nm) with TaN gate electrode using engineered interface layer
IEEE electron device letters, 2005-07, Vol.26 (7), p.454-457
2005
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Electrical performance and reliability improvement by using compositionally varying bi-Layer structure of PVD HfSi/sub x/O/sub y/ dielectric
IEEE electron device letters, 2005-03, Vol.26 (3), p.166-168
2005
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Improving channel carrier mobility and immunity to charge trapping of high-K NMOSFET by using stacked Y2O3/HfO2 gate dielectric
IEEE electron device letters, 2005-12, Vol.26 (12), p.876-878
2005
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Optimized NH sub(3) annealing Process for high-quality HfSiON gate oxide
IEEE electron device letters, 2004-01, Vol.25 (7)
2004
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Electrical performance and reliability improvement by using compositionally varying bi-Layer structure of PVD HfSi sub(x)O sub(y) dielectric
IEEE electron device letters, 2005-01, Vol.26 (3)
2005
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  • BibTeX
Fermi pinning-induced thermal instability of metal-gate work functions
IEEE electron device letters, 2004-05, Vol.25 (5), p.337-339
2004
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A Self-Rectifying HfOx-Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode
IEEE electron device letters, 2012-04, Vol.33 (4), p.585-587
2012
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Ni Electrode Unipolar Resistive RAM Performance Enhancement by AlOy Incorporation Into HfOx Switching Dielectrics
IEEE electron device letters, 2011-09, Vol.32 (9), p.1290-1292
2011
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Improved electrical and reliability characteristics of HfN-HfO2-Gated nMOSFET with 0.95-nm EOT fabricated using a gate-first process
IEEE electron device letters, 2005-04, Vol.26 (4), p.237-239
2005
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A dual-metal gate integration process for CMOS with sub-1-nm EOT HfO2 by using HfN replacement gate
IEEE electron device letters, 2004-08, Vol.25 (8), p.580
2004
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Improved electrical and reliability Characteristics of HfN--HfO/sub 2/-gated nMOSFET with 0.95-nm EOT fabricated using a gate-first Process
IEEE electron device letters, 2005-04, Vol.26 (4), p.237-239
2005
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Ni Electrode Unipolar Resistive RAM Performance Enhancement by [Formula Omitted] Incorporation Into [Formula Omitted] Switching Dielectrics
IEEE electron device letters, 2011-09, Vol.32 (9), p.1290
2011
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Ni Electrode Unipolar Resistive RAM Performance Enhancement by hbox AlO y Incorporation Into hbox HfO x Switching Dielectrics
IEEE electron device letters, 2011-09, Vol.32 (9), p.1290-1292
2011
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Ni Electrode Unipolar Resistive RAM Performance Enhancement by \hbox Incorporation Into \hbox Switching Dielectrics
IEEE electron device letters, 2011-09, Vol.32 (9), p.1290-1292
2011
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