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Ferromagnetic Resonance of Single-Crystalline La0.67Sr0.33MnO3 Thin Film Integrated on Silicon
IEEE electron device letters, 2019-11, Vol.40 (11), p.1856-1859
2019
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Flexible Lead-Free BaTiO3 Ferroelectric Elements With High Performance
IEEE electron device letters, 2019-06, Vol.40 (6), p.889-892
2019
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Ferromagnetic Resonance of Single-Crystalline La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 Thin Film Integrated on Silicon
IEEE electron device letters, 2019-11, Vol.40 (11), p.1856-1859
2019
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Flexible Lead-Free BaTiO 3 Ferroelectric Elements With High Performance
IEEE electron device letters, 2019-06, Vol.40 (6), p.889-892
2019
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Improved Performance in Mirror-Assisted Back-Contact CMOS Photovoltaic Devices
IEEE electron device letters, 2015-05, Vol.36 (5), p.478-480
2015
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Enhanced Efficiency in Backside-Illuminated Deep-n-Well-Assisted CMOS Photovoltaic Devices
IEEE electron device letters, 2015-11, Vol.36 (11), p.1169-1171
2015
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Effect of Nitrogen Passivation on the Performance of MIM Capacitors With a Crystalline- \hbox/\hbox Stacked Insulator
IEEE electron device letters, 2012-06, Vol.33 (6), p.878-880
2012
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hbox-Based Resistive Memory With MIS Structure Formed on Ge Layer
IEEE electron device letters, 2012-03, Vol.33 (3), p.435-437
2012
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MIM Capacitors With Crystalline- \hbox/ \hbox Stack Featuring High Capacitance Density and Low Voltage Coefficient
IEEE electron device letters, 2012-01, Vol.33 (1), p.104-106
2012
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High-Performance Metal-Insulator-Metal Capacitor Using Stacked \hbox/\hbox\hbox as Insulator
IEEE electron device letters, 2011-08, Vol.32 (8), p.1107-1109
2011
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Comparison of Ge Surface Passivation Between \hbox Films Formed by Oxidation of Sn/Ge and \hbox/\hbox Structures
IEEE electron device letters, 2011-05, Vol.32 (5), p.611-613
2011
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Nonvolatile Memory With Nitrogen-Stabilized Cubic-Phase \hbox as Charge-Trapping Layer
IEEE electron device letters, 2010-09, Vol.31 (9), p.1008-1010
2010
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Nonvolatile Memory With Nitrogen-Stabilized Cubic-Phase ZrO2 as Charge-Trapping Layer
IEEE electron device letters, 2010-09, Vol.31 (9), p.1008-1010
2010
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Comparison of Ge Surface Passivation Between SnGeOx Films Formed by Oxidation of Sn/Ge and SnGex/Ge Structures
IEEE electron device letters, 2011-05, Vol.32 (5), p.611-613
2011
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MIM Capacitors With Crystalline-TiO2/SiO2 Stack Featuring High Capacitance Density and Low Voltage Coefficient
IEEE electron device letters, 2012, Vol.33 (1), p.104-106
2012
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Effect of Nitrogen Passivation on the Performance of MIM Capacitors With a Crystalline-TiO2/SiO2 Stacked Insulator
IEEE electron device letters, 2012-06, Vol.33 (6), p.878-880
2012
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ZrTiOx-Based Resistive Memory With MIS Structure Formed on Ge Layer
IEEE electron device letters, 2012-03, Vol.33 (3), p.435-437
2012
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High-Performance Metal-Insulator-Metal Capacitor Using Stacked TiO2/Y2O3 as Insulator
IEEE electron device letters, 2011-08, Vol.32 (8), p.1107-1109
2011
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Effect of Nitrogen Passivation on the Performance of MIM Capacitors With a Crystalline- [Formula Omitted] Stacked Insulator
IEEE electron device letters, 2012-06, Vol.33 (6), p.878
2012
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Effect of Nitrogen Passivation on the Performance of MIM Capacitors With a Crystalline- hbox TiO 2 / hbox SiO 2 Stacked Insulator
IEEE electron device letters, 2012-06, Vol.33 (6), p.878-880
2012
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MIM Capacitors With Crystalline-[Formula Omitted] Stack Featuring High Capacitance Density and Low Voltage Coefficient
IEEE electron device letters, 2012-01, Vol.33 (1), p.104
2012
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MIM Capacitors With Crystalline- hbox TiO 2 / hbox SiO 2 Stack Featuring High Capacitance Density and Low Voltage Coefficient
IEEE electron device letters, 2012-01, Vol.33 (1), p.104-106
2012
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High-Performance Metal-Insulator-Metal Capacitor Using Stacked [Formula Omitted] as Insulator
IEEE electron device letters, 2011-08, Vol.32 (8), p.1107
2011
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High-Performance Metal-Insulator-Metal Capacitor Using Stacked TiO 2 / Y 2 O 3 as Insulator
IEEE electron device letters, 2011-08, Vol.32 (8), p.1107-1109
2011
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Comparison of Ge Surface Passivation Between hbox SnGeO x Films Formed by Oxidation of Sn/Ge and hbox SnGe x / hbox Ge Structures
IEEE electron device letters, 2011-05, Vol.32 (5), p.611-613
2011
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