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Hole Mobility Characteristics in Si Nanowire pMOSFETs on (110) Silicon-on-Insulator
IEEE electron device letters, 2010-11, Vol.31 (11), p.1181-1183
2010
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Experimental Investigations of Electron Mobility in Silicon Nanowire nMOSFETs on (110) Silicon-on-Insulator
IEEE electron device letters, 2009-11, Vol.30 (11), p.1203-1205
2009
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Re-Annealing-Induced Recovery in 7nm Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Film: Phase Transition and Non-Switchable Region Repair
IEEE electron device letters, 2023-08, Vol.44 (8), p.1288-1291
2023
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Implementation of Image Compression by Using High-Precision In-Memory Computing Scheme Based on NOR Flash Memory
IEEE electron device letters, 2021-11, Vol.42 (11), p.1603-1606
2021
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Re-Annealing-Induced Recovery in 7nm Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Film: Phase Transition and Non-Switchable Region Repair
IEEE electron device letters, 2023-08, Vol.44 (8), p.1-1
2023
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Implementation of Data Search in Multi-Level NAND Flash Memory by Complementary Storage Scheme
IEEE electron device letters, 2020-08, Vol.41 (8), p.1189-1192
2020
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Toward Low-Thermal-Budget Processing in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films by Ozone Interface Oxidation
IEEE electron device letters, 2023-12, Vol.44 (12), p.1959-1962
2023
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  • BibTeX
A Compact Fully Ferroelectric-FETs Reservoir Computing Network With Sub-100 ns Operating Speed
IEEE electron device letters, 2022-09, Vol.43 (9), p.1555-1558
2022
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A Novel Encrypted Computing-in-Memory (eCIM) by Implementing Random Telegraph Noise (RTN) as Keys Based on 55 nm NOR Flash Technology
IEEE electron device letters, 2022-09, Vol.43 (9), p.1455-1458
2022
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  • BibTeX
Significant Reliability Improvement by Inducing Dual Atomic-Thin Titanium Intercalation Layers in Hf0.5Zr0.5O2 Films
IEEE electron device letters, 2023-05, Vol.44 (5), p.753-756
2023
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A Dual-Point Technique for the Entire ID-VG Characterization Into Subthreshold Region Under Random Telegraph Noise Condition
IEEE electron device letters, 2019-05, Vol.40 (5), p.674-677
2019
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Toward Low-Thermal-Budget Processing in Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Thin Films by Ozone Interface Oxidation
IEEE electron device letters, 2023-12, Vol.44 (12), p.1959-1962
2023
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Fast Fourier Transform (FFT) Using Flash Arrays for Noise Signal Processing
IEEE electron device letters, 2022-08, Vol.43 (8), p.1207-1210
2022
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Significant Reliability Improvement by Inducing Dual Atomic-Thin Titanium Intercalation Layers in Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Films
IEEE electron device letters, 2023-05, Vol.44 (5), p.753-756
2023
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A Dual-Point Technique for the Entire I D –V G Characterization Into Subthreshold Region Under Random Telegraph Noise Condition
IEEE electron device letters, 2019-05, Vol.40 (5), p.674-677
2019
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