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Very-high-speed selector IC using InP∕InGaAs heterojunction bipolar transistors

Electronics letters, 2002-05, Vol.38 (10), p.480-481

2002

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High-input-sensitivity, low-power 43 Gbit∕s decision circuit using InP∕InGaAs DHBTs

Electronics letters, 2002-06, Vol.38 (12), p.557-558

2002

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3.21 ps ECL gate using InP∕InGaAs DHBT technology

Electronics letters, 2003-10, Vol.39 (20), p.1434

2003

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90 Gbit∕s 0.5 W decision circuit using InP∕InGaAs double heterojunction bipolar transistors

Electronics letters, 2004-08, Vol.40 (16), p.1020

2004

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Over 40 Gbit∕s 16:1 multiplexer IC using InP∕InGaAs HBT technology

Electronics letters, 2003-06, Vol.39 (12), p.911

2003

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50 Gbit∕s low-jitter dynamic decision circuit using Cbc compensation and semi-feed forward techniques

Electronics letters, 2003-08, Vol.39 (16), p.1187

2003

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Single electron memory characteristic of silicon nanodot nanowire transistor

Electronics letters, 2000-07, Vol.36 (15), p.1322-1323, Article 1322

2000

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Suppressed threshold voltage roll-off characteristic of 40 nm gate length ultrathin SOI MOSFET

Electronics letters, 1998, Vol.34 (21), p.2069

1998

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Heavily Si-doped InGaAs lattice-matched to InP grown by MBE

Electronics letters, 1986-02, Vol.22 (4), p.191-192

1986

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3.21 ps ECL gate using InP/InGaAs DHBT technology

Electronics letters, 2003-10, Vol.39 (20), p.1-1

2003

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3.48 ps ECL ring oscillator using over-300 GHz f^sub T^/f^sub max^ InP DHBTs

Electronics letters, 2003-08, Vol.39 (16), p.1

2003

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3.48 ps ECL ring oscillator using over-300 GHz f sub( T)/f sub( max) InP DHBTs

Electronics letters, 2003-08, Vol.39 (16), p.1-1

2003

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90 Gbit/s 0.5W decision circuit using InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors

Electronics letters, 2004-08, Vol.40 (16), p.1-1

2004

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3.48 ps ECL ring oscillator using over-300 GHz fT∕fmax InP DHBTs

Electronics letters, 2003, Vol.39 (16), p.1215

2003

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20 Gbit/s AlGaAs/GaAs-HBT 2:1 selector and decision ICs

Electronics letters, 1991-01, Vol.27 (8), p.662-664

1991

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Over 40 Gbit/s 16:1 multiplexer IC using InP/InGaAs HBT technology

Electronics letters, 2003-06, Vol.39 (12), p.1-1

2003

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50 Gbit/s low-jitter dynamic decision circuit using Cbc compensation and semi-feed forward techniques

Electronics letters, 2003-08, Vol.39 (16), p.1-1

2003

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Very-high-speed selector IC using InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors

Electronics letters, 2002-05, Vol.38 (10), p.1-1

2002

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High-input-sensitivity, low-power 43 Gbit/s decision circuit using InP/InGaAs DHBTs

Electronics letters, 2002-06, Vol.38 (12), p.1-1

2002

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InGaAs enhancement-mode MISFETs using double-layer gate insulator

Electronics letters, 1982-01, Vol.18 (24), p.1034

1982

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Single electron memory characteristic of silicon nanodot nanowire transistor

Electronics letters, 2000-07, Vol.36 (15), p.1-1

2000

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Suppressed threshold voltage roll-off characteristic of 40 nm gate length ultrathin SOI MOSFET

Electronics letters, 1998-10, Vol.34 (21), p.2069-2070

1998

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Double epitaxial silicon avalanche photodiodes for optical-fibre communications

Electronics letters, 1977-01, Vol.13 (10), p.280

1977

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Notched stripline resonator

Electronics letters, 1969-01, Vol.5 (18), p.439

1969

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Hybrid-tee coupled oscillators

Electronics letters, 1970-01, Vol.6 (22), p.717

1970

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