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Performance Improvement of GaN-Based Violet Laser Diodes
Chinese physics letters, 2017-01, Vol.34 (1), p.17101
2017
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A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe
Chinese physics letters, 2013-10, Vol.30 (10), p.104205-1-104205-4, Article 104205
2013
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The Effects of a Low-Temperature GaN Interlayer on the Performance of InGaN/GaN Solar Cells
Chinese physics letters, 2013-02, Vol.30 (2), p.28801-1-028801-3
2013
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Formation of Low-Resistant and Thermally Stable Nonalloyed Ohmic Contact to N-Face n-GaN
Chinese physics letters, 2012-01, Vol.29 (1), p.17301-1-017301-4
2012
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Fabrication and Characterization of High Power InGaN Blue-Violet Lasers with an Array Structure
Chinese physics letters, 2010-05, Vol.27 (5), p.109-112
2010
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Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours
Chinese physics letters, 2010-11, Vol.27 (11), p.129-132, Article 114215
2010
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Fabrication and Optical Characterization of GaN-Based Nanopillar Light Emitting Diodes
Chinese physics letters, 2008-09, Vol.25 (9), p.3485-3488
2008
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Fluid Sensor Based on Transmission Dip Caused by Mini Stop-Band in Photonic Crystal Slab
Chinese physics letters, 2008-06, Vol.25 (6), p.2101-2103
2008
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Microstructure-Fibre-Based Optical Parametric Amplification in Telecom Band with Ultra-High Gain Slope
Chinese physics letters, 2006-05, Vol.23 (5), p.1201-1203
2006
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Fibre Optical Parametric Amplification in Defect Bragg Fibres with Zero Dispersion Slow Light Effect
Chinese physics letters, 2008-05, Vol.25 (5), p.1713-1716
2008
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Continuous-Wave Operation of GaN Based Multi-Quantum-Well Laser Diode at Room Temperature
Chinese physics letters, 2008-04, Vol.25 (4), p.1281-1283
2008
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Spatially Inhomogeneous Gain Modification in Photonic Crystals
Chinese physics letters, 2006-08, Vol.23 (8), p.2117-2120
2006
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Effects of Ag on Electrical Properties of Ag/Ni/p-GaN Ohmic Contact
Chinese physics letters, 2007-06, Vol.24 (6), p.1741-1744
2007
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Performance Improvement of GaN-Based Violet Laser Diodes Supported by the National Key Research and Development Program of China under Grant No 2016YFB0401801, the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61574135, 61574134, 61474142, 61474110, 61377020, 61376089, and 61223005, and the One Hundred Person Project of the Chinese Academy of Sciences
Chinese physics letters, 2017-01, Vol.34 (1)
2017
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in GaInNAs/GaAs Multiple Quantum Wells
Chinese physics letters, 2002-08, Vol.19 (8), p.1203-1206, Article 352
2002
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Temperature-Induced Switching-Over of the Luminescence Transitions in GaInNAs/GaAs Quantum Wells
Chinese physics letters, 2004-03, Vol.21 (3), p.548-551, Article 548
2004
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Optical Constants of SiO2 Films Deposited on Si Substrates
中国物理快报：英文版, 2014-04 (4), p.114-117
2014
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