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Temperature stability of intersubband transitions in AlN/GaN quantum wells
Applied physics letters, 2010-07, Vol.97 (4), p.043507-043507-3
2010
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MBE growth strategy and optimization of GaAsBi quantum well light emitting structure beyond 1.2 μm
Applied physics letters, 2019-04, Vol.114 (15)
2019
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Bi2Te3 photoconductive detectors on Si
Applied physics letters, 2017-04, Vol.110 (14)
2017
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Suspended photonic crystal membranes in AlGaAs heterostructures for integrated multi-element optomechanics
Applied physics letters, 2020-06, Vol.116 (26)
2020
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Bismuth-induced band-tail states in GaAsBi probed by photoluminescence
Applied physics letters, 2019-02, Vol.114 (5)
2019
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Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi
Applied physics letters, 2017-01, Vol.110 (5)
2017
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Point defect balance in epitaxial GaSb
Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (8), p.art. no. 082113
2014
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Contactless electroreflectance and theoretical studies of band gap and spin-orbit splitting in InP1-xBix dilute bismide with x
Applied physics letters, 2014, Vol.105 (22)
2014
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Enhancement of optical quality in metamorphic quantum wells using dilute nitride buffers
Applied physics letters, 2010-08, Vol.97 (9), p.091903-091903-3
2010
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Anisotropic transport properties in InAs/AlSb heterostructures
Applied physics letters, 2010-12, Vol.97 (24), p.243510-243510-3
2010
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Evolution of valence-band alignment with nitrogen content in GaNAs∕GaAs single quantum wells
Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (3), p.Art. Nr. 031904
2008
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Influence of a thin GaAs cap layer on structural and optical properties of InAs quantum dots
Applied physics letters, 2002-08, Vol.81 (7), p.1195-1197
2002
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Nitrogen incorporation in GaNAs layers grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2006, Vol.89 (3), p.031907-031907-3
2006
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Effects of growth temperature and post-growth thermal annealing on carrier localization and deep level emission in GaNAs/GaAs quantum well structures
Applied physics letters, 2005, Vol.86 (12), p.121910
2005
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