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Time constant of defect relaxation in ion-irradiated 3 C -SiC
Applied physics letters, 2015-05, Vol.106 (20)
2015
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Time constant of defect relaxation in ion-irradiated 3C-SiC
Applied physics letters, 2015-05, Vol.106 (20)
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Time constant of defect relaxation in ion-irradiated 3C-SiC
Applied physics letters, 2015-05, Vol.106 (20)
2015
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GaAs interfacial self-cleaning by atomic layer deposition
Applied physics letters, 2008-02, Vol.92 (7), p.071901-071901-3
2008
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Electrical and chemical characteristics of Al2O3/InP metal-oxide-semiconductor capacitors
Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (13)
2013
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Detection of Ga suboxides and their impact on III-V passivation and Fermi-level pinning
Applied physics letters, 2009-04, Vol.94 (16)
2009
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Effect of post deposition anneal on the characteristics of HfO2/InP metal-oxide-semiconductor capacitors
Applied physics letters, 2011-10, Vol.99 (17)
2011
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Synthesis and optical properties of (GaAs)yGe5-2y alloys assembled from molecular building blocks
Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12)
2017
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Surface and interfacial reaction study of half cycle atomic layer deposited HfO2 on chemically treated GaSb surfaces
Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (13)
2013
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Characteristics of high-k Al2O3 dielectric using ozone-based atomic layer deposition for dual-gated graphene devices
Applied physics letters, 2010-07, Vol.97 (4)
2010
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Simulation of terahertz pulse propagation in biological systems
Applied physics letters, 2004-03, Vol.84 (12), p.2190-2192
2004
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Diffusion of In0.53Ga0.47As elements through hafnium oxide during post deposition annealing
Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (1)
2014
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Fermi level unpinning of GaSb (100) using plasma enhanced atomic layer deposition of Al2O3
Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.143502
2010
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In situ surface pre-treatment study of GaAs and In0.53Ga0.47As
Applied physics letters, 2012-04, Vol.100 (15)
2012
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Frequency dispersion reduction and bond conversion on n-type GaAs by in situ surface oxide removal and passivation
Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (16)
2007
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Visible photoluminescence in ZnO tetrapod and multipod structures
Applied physics letters, 2004-04, Vol.84 (14), p.2635-2637
2004
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Electrical characterization of amorphous lanthanum aluminate thin films grown by molecular-beam deposition on silicon
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (11), p.112907-112907-3
2006
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Effect of post deposition anneal on the characteristics of HfO 2 /InP metal-oxide-semiconductor capacitors
Applied physics letters, 2011-10, Vol.99 (17), p.172901-172901-3
2011
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Laser-induced pressure-wave and barocaloric effect during flash diffusivity measurements
Applied physics letters, 2017-07, Vol.111 (5)
2017
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In situ study of HfO2 atomic layer deposition on InP(100)
Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (17)
2013
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The effect of graphite surface condition on the composition of Al2O3 by atomic layer deposition
Applied physics letters, 2010-08, Vol.97 (8)
2010
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Synthesis and optical properties of (GaAs) y Ge5-2 y alloys assembled from molecular building blocks
Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12)
2017
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Interfacial oxide re-growth in thin film metal oxide III-V semiconductor systems
Applied physics letters, 2012-04, Vol.100 (14), p.141606-141606-4
2012
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Low temperature fabrication and characterization of nickel germanide Schottky source/drain contacts for implant-less germanium p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Applied physics letters, 2012-05, Vol.100 (19), p.192101-192101-3
2012
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Ultrascaled hafnium silicon oxynitride gate dielectrics with excellent carrier mobility and reliability
Applied physics letters, 2005-12, Vol.87 (26)
2005
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