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Tunable multi-cycle terahertz pulse generation from a spintronic emitter
Applied physics letters, 2023-11, Vol.123 (21)
2023
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Spintronic terahertz emitters exploiting uniaxial magnetic anisotropy for field-free emission and polarization control
Applied physics letters, 2022-03, Vol.120 (12)
2022
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Capacitance-voltage characterization of GaAs–Al2O3 interfaces
Applied physics letters, 2008-11, Vol.93 (18)
2008
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Correlation of interface states/border traps and threshold voltage shift on AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors
Applied physics letters, 2015-08, Vol.107 (9)
2015
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On the interface state density at In0.53Ga0.47As/oxide interfaces
Applied physics letters, 2009-11, Vol.95 (20)
2009
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Characterization of polishing induced defects and hydrofluoric acid passivation effect in ZnO
Applied physics letters, 2013-08, Vol.103 (7)
2013
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Leakage current and breakdown electric-field studies on ultrathin atomic-layer-deposited Al2O3 on GaAs
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (18)
2005
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Flexible Ge-on-polyimide detectors
Applied physics letters, 2009-06, Vol.94 (26), p.261107-261107-3
2009
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Formation of a reacted layer at the barrierless Cu ( WN ) ∕ Si interface
Applied physics letters, 2005-11, Vol.87 (21), p.211902-211902-3
2005
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Effects of Si doping on the ferromagnetic properties of delta doped GaMnN nanorods
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (26)
2020
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Grating-tuned external-cavity quantum-cascade semiconductor lasers
Applied physics letters, 2001-05, Vol.78 (19), p.2834-2836
2001
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Low-temperature fabrication and characterization of Ge-on-insulator structures
Applied physics letters, 2006-09, Vol.89 (10), p.101913-101913-3
2006
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Capacitance-voltage studies on enhancement-mode InGaAs metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using atomic-layer-deposited Al2O3 gate dielectric
Applied physics letters, 2006-06, Vol.88 (26)
2006
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Ge-on-glass detectors
Applied physics letters, 2007-07, Vol.91 (4), p.041105-041105-3
2007
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Auger coefficients in type-II InAs/Ga1−xInxSb quantum wells
Applied physics letters, 1998-11, Vol.73 (20), p.2857-2859
1998
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Photoconduction properties and anomalous power-dependent quantum efficiency in non-polar ZnO epitaxial films grown by chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2017-01, Vol.110 (5)
2017
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Cu films containing insoluble Ru and RuNX on barrierless Si for excellent property improvements
Applied physics letters, 2007-09, Vol.91 (13)
2007
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Narrow-band metal-oxide-semiconductor photodetector
Applied physics letters, 2009-02, Vol.94 (6), p.061114-061114-3
2009
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Ammonium sulfide vapor passivation of In0.53Ga0.47As and InP surfaces
Applied physics letters, 2011-09, Vol.99 (11)
2011
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Photoconduction efficiencies of metal oxide semiconductor nanowires: The material's inherent properties
Applied physics letters, 2013-11, Vol.103 (22)
2013
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High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells
Applied physics letters, 1997-10, Vol.71 (17), p.2409-2411
1997
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The Fermi-level efficiency method and its applications on high interface trap density oxide-semiconductor interfaces
Applied physics letters, 2009-04, Vol.94 (15), p.153508-153508-3
2009
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Near-room-temperature mid-infrared interband cascade laser
Applied physics letters, 1998-05, Vol.72 (19), p.2370-2372
1998
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Semiconductor lasers on Si substrates using the technology of bonding by atomic rearrangement
Applied physics letters, 1993-03, Vol.62 (10), p.1038-1040
1993
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Temperature dependence of time-resolved photoluminescence spectroscopy in InAs/GaAs quantum ring
Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (18), p.183101-183101-3
2009
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