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Characterization of chemical doping of graphene by in-situ Raman spectroscopy
Applied physics letters, 2016-05, Vol.108 (20)
2016
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Imaging surface charge distribution near carbon nanotube device in aqueous environments
Applied physics letters, 2014-12, Vol.105 (22)
2014
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Resistance switching in epitaxial SrCoO x thin films
Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (6)
2014
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Resistance switching in epitaxial SrCoO{sub x} thin films
Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (6)
2014
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Resistance switching in epitaxial SrCoOx thin films
Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (6)
2014
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Reduced graphene oxide coated thin aluminum film as an optoacoustic transmitter for high pressure and high frequency ultrasound generation
Applied physics letters, 2012-12, Vol.101 (24)
2012
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Photo and thermal stability enhancement of amorphous Hf-In-Zn-Othin-film transistors by the modulation of back channel composition
Applied physics letters, 2011-02, Vol.98 (7), p.073503-073503-3
2011
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Photo and thermal stability enhancement of amorphous Hf–In–Zn–O thin-film transistors by the modulation of back channel composition
Applied physics letters, 2011-02, Vol.98 (7)
2011
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In-plane thermal and thermoelectric properties of misfit-layered [ ( PbSe ) 0.99 ] x ( WSe 2 ) x superlattice thin films
Applied physics letters, 2010-05, Vol.96 (18), p.181908-181908-3
2010
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Origin of tensile stress in the Si substrate induced by Ti N ∕ Hf O 2 metal gate/high- k dielectric gate stack
Applied physics letters, 2008-10, Vol.93 (16), p.161913-161913-3
2008
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Origin of tensile stress in the Si substrate induced by TiN∕HfO2 metal gate/high-k dielectric gate stack
Applied physics letters, 2008-10, Vol.93 (16)
2008
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Uniform and stable field emission from printed carbon nanotubesthrough oxygen trimming
Applied physics letters, 2008-07, Vol.92 (26), p.263112-263112-3
2008
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Uniform and stable field emission from printed carbon nanotubes through oxygen trimming
Applied physics letters, 2008-06, Vol.92 (26)
2008
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Conformal Al 2 O 3 dielectric layer deposited by atomic layer depositionfor graphene-based nanoelectronics
Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (20), p.203102-203102-3
2008
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Conformal Al2O3 dielectric layer deposited by atomic layer deposition for graphene-based nanoelectronics
Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (20)
2008
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Structural investigation of nitrided c -sapphire substrate by grazing incidence x-ray diffraction and transmission electron microscopy
Applied physics letters, 2007-11, Vol.91 (20), p.202116-202116-3
2007
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Erratum: "Control of silicidation in HfO 2 /Si(100) interfaces"[ Appl. Phys. Lett. 86 , 041913 ( 2005 ) ]
Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (17), p.179901-179901-1
2007
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Open Access
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Erratum: “Control of silicidation in HfO2/Si(100) interfaces” [Appl. Phys. Lett. 86, 041913 (2005)]
Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (17)
2007
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Microfluidic photonic crystal double heterostructures
Applied physics letters, 2007-09, Vol.91 (12), p.121103-121103-3
2007
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Effects of metal gate-induced strain on the performance of metal-oxide-semiconductor field effect transistors with titanium nitride gate electrode and hafnium oxide dielectric
Applied physics letters, 2007-07, Vol.91 (3), p.033511-033511-3
2007
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High-temperature ferromagnetism in amorphous semiconductor Ge 3 Mn thin films
Applied physics letters, 2007-05, Vol.90 (19), p.192505-192505-3
2007
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High-temperature ferromagnetism in amorphous semiconductor Ge3Mn thin films
Applied physics letters, 2007-05, Vol.90 (19)
2007
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Direct comparison of optical characteristics of InGaN-based laser diode structures grown on pendeo epitaxial GaN and sapphire substrates
Applied physics letters, 2007-03, Vol.90 (13), p.131908-131908-3
2007
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High quantum efficiency of violet-blue to green light emission in InGaN quantum well structures grown by graded-indium-content profiling method
Applied physics letters, 2007-01, Vol.90 (1), p.011912-011912-3
2007
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Perfluorocyclobutane containing polymeric gate dielectric for organic thin film transistors with high on/off ratio
Applied physics letters, 2006-11, Vol.89 (20), p.202516-202516-3
2006
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