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Enhanced energy density with a wide thermal stability in epitaxial Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3 thin films
Applied physics letters, 2016-11, Vol.109 (19)
2016
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The effect of surface-step-terrace on energy storage density and working temperature of BaZr0.2Ti0.8O3 epitaxial films
Applied physics letters, 2024-03, Vol.124 (11)
2024
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Realization of regular arrays of nanoscale resistive switching blocks in thin films of Nb-doped SrTiO3
Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (2)
2008
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Atomic-scale imaging of interfacial polarization in cuprate-titanate heterostructures
Applied physics letters, 2020-06, Vol.116 (25)
2020
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Atomic structure of the interface between SrTiO3 thin films and Si(001) substrates
Applied physics letters, 2008-09, Vol.93 (10)
2008
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Modulating the transport property of flexible La0.67Ca0.33MnO3 thin film by mechanical bending
Applied physics letters, 2021-02, Vol.118 (5)
2021
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Sr2TiO4 layered perovskite thin films grown by pulsed laser deposition
Applied physics letters, 2008-06, Vol.92 (24), p.241918
2008
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Phase stability and B-site ordering in La{sub 2}NiMnO{sub 6} thin films
Applied physics letters, 2016-07, Vol.109 (3)
2016
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Enhancement of p-type conductivity in nanocrystalline BaTiO3 ceramics
Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (8)
2005
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Realization of regular arrays of nanoscale resistive switching blocksin thin films of Nb-doped Sr Ti O 3
Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (2), p.023110-023110-3
2008
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Sr 2 Ti O 4 layered perovskite thin films grown by pulsed laser deposition
Applied physics letters, 2008-06, Vol.92 (24), p.241918-241918-3
2008
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Atomic structure of the interface between SrTiO 3 thin filmsand Si(001) substrates
Applied physics letters, 2008-09, Vol.93 (10), p.101913-101913-3
2008
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Enhancement of p -type conductivity in nanocrystalline Ba Ti O 3 ceramics
Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (8), p.082110-082110-3
2005
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Impact of fluorine treatment on Fermi level depinning for metal/germanium Schottky junctions
Applied physics letters, 2011-12, Vol.99 (25), p.253504-253504-3
2011
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High-performance metal-insulator-metal capacitor with Ge-stabilized tetragonal ZrO2/amorphous La-doped ZrO2 dielectric
Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (1)
2011
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Impact of top electrode on electrical stress reliability of metal-insulator-metal capacitor with amorphous ZrTiO4 film
Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (13)
2010
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Crystalline ZrO2-gated Ge metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on Si substrate with Y2O3 as passivation layer
Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (20)
2011
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Crystalline ZrO 2 -gated Ge metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on Si substrate with Y 2 O 3 as passivation layer
Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (20), p.203502-203502-3
2011
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High-performance metal-insulator-metal capacitor with Ge-stabilized tetragonal ZrO 2 /amorphous La-doped ZrO 2 dielectric
Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (1), p.013506-013506-3
2011
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Impact of top electrode on electrical stress reliability of metal-insulator-metal capacitor with amorphous ZrTiO 4 film
Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (13), p.133501-133501-3
2010
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