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Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage
Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (3)
2018
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Electrical properties of bulk semi-insulating β-Ga2O3 (Fe)
Applied physics letters, 2018-10, Vol.113 (14)
2018
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Epitaxial growth and demonstration of hexagonal BN/AlGaN p-n junctions for deep ultraviolet photonics
Applied physics letters, 2012-02, Vol.100 (6), p.061121-061121-4
2012
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Epitaxially grown semiconducting hexagonal boron nitride as a deep ultraviolet photonic material
Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (21), p.211110-211110-3
2011
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Defects responsible for charge carrier removal and correlation with deep level introduction in irradiated β-Ga2O3
Applied physics letters, 2018-08, Vol.113 (9)
2018
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Experimental estimation of electron–hole pair creation energy in β-Ga2O3
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (20)
2021
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Hydrogen generation by solar water splitting using p-InGaN photoelectrochemical cells
Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (5), p.052110-052110-3
2010
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Hydrogen plasma treatment of β-Ga2O3: Changes in electrical properties and deep trap spectra
Applied physics letters, 2019-07, Vol.115 (3)
2019
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Realizing InGaN monolithic solar-photoelectrochemical cells for artificial photosynthesis
Applied physics letters, 2014-04, Vol.104 (14)
2014
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Non-rare earth white emission phosphor: Ti-doped MgAl2O4
Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (3)
2013
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Changes in electron and hole traps in GaN-based light emitting diodes from near-UV to green spectral ranges
Applied physics letters, 2017-05, Vol.110 (19)
2017
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Electrical and optical properties of p-type InGaN
Applied physics letters, 2009-12, Vol.95 (26), p.261904-261904-3
2009
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Defects responsible for lifetime degradation in electron irradiated n-GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
Applied physics letters, 2017-03, Vol.110 (11)
2017
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Terahertz electro-optic detection using a ⟨012⟩-cut chalcopyrite ZnGeP2 crystal
Applied physics letters, 2016-06, Vol.108 (26)
2016
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Thermoelectric properties of InxGa1−xN alloys
Applied physics letters, 2008-01, Vol.92 (4)
2008
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Degradation-induced low frequency noise and deep traps in GaN/InGaN near-UV LEDs
Applied physics letters, 2017-08, Vol.111 (6)
2017
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Correlation between optoelectronic and structural properties and epilayer thickness of AlN
Applied physics letters, 2007-06, Vol.90 (24)
2007
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  • BibTeX
Self-organized patterns along sidewalls of iron silicide nanowires on Si(110) and their origin
Applied physics letters, 2014-11, Vol.105 (19)
2014
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  • BibTeX
Evolution of phase separation in In-rich InGaN alloys
Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (23), p.232105-232105-3
2010
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Single phase InxGa1−xN (0.25≤x≤0.63) alloys synthesized by metal organic chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2008-11, Vol.93 (18)
2008
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  • BibTeX
ZnO nanowires array p-n homojunction and its application as a visible-blind ultraviolet photodetector
Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (5)
2010
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  • BibTeX
Electrical characteristics of Au and Ag Schottky contacts on n-ZnO
Applied physics letters, 2003-08, Vol.83 (8), p.1575-1577
2003
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Hyperthermal hydrogen atoms in argon-hydrogen atmospheric pressure microplasma jet
Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (4), p.041503-041503-3
2008
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The circular polarization inversion in δ⟨Mn⟩/InGaAs/GaAs light-emitting diodes
Applied physics letters, 2015-07, Vol.107 (4)
2015
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  • BibTeX
Role of nonradiative recombination centers and extended defects in nonpolar GaN on light emission efficiency
Applied physics letters, 2011-02, Vol.98 (7), p.072104-072104-3
2011
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