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Performance improvement of phase-change memory cell with cup-shaped bottom electrode contact
Applied physics letters, 2008-09, Vol.93 (10), p.103107-103107-3
2008
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β-Ga2O3 vertical heterojunction barrier Schottky diodes terminated with p-NiO field limiting rings
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (20)
2021
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A 1.86-kV double-layered NiO/β-Ga2O3 vertical p–n heterojunction diode
Applied physics letters, 2020-07, Vol.117 (2)
2020
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Dislocation dynamics in α-Ga2O3 micropillars from selective-area epitaxy to epitaxial lateral overgrowth
Applied physics letters, 2022-03, Vol.120 (12)
2022
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In situ heteroepitaxial construction and transport properties of lattice-matched α-Ir2O3/α-Ga2O3 p-n heterojunction
Applied physics letters, 2021-06, Vol.118 (26)
2021
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A self-powered solar-blind photodetector based on polyaniline/α-Ga2O3 p–n heterojunction
Applied physics letters, 2021-10, Vol.119 (14)
2021
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(11-22) semipolar InGaN emitters from green to amber on overgrown GaN on micro-rod templates
Applied physics letters, 2015-12, Vol.107 (26)
2015
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Traps inhomogeneity induced conversion of Shockley–Read–Hall recombination in NiO/β-Ga2O3 p+–n heterojunction diodes
Applied physics letters, 2023-04, Vol.122 (15)
2023
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A self-aligned Ga2O3 heterojunction barrier Schottky power diode
Applied physics letters, 2023-07, Vol.123 (1)
2023
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Complex refractive index tunability of graphene at 1550 nm wavelength
Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (3)
2015
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Proton doping enhanced flexoelectricity and photocurrent in hydrogen-charged TiO2
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (3)
2024
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A simple atmospheric pressure room-temperature air plasma needle device for biomedical applications
Applied physics letters, 2009-11, Vol.95 (18), p.181501-181501-3
2009
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Periodic vortex-antivortex pairs in tensile strained PbTiO3 films
Applied physics letters, 2020-11, Vol.117 (19)
2020
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Revised ab initio natural band offsets of all group IV, II-VI, and III-V semiconductors
Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (21), p.212109-212109-3
2009
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Plasmon modes of silver nanowire on a silica substrate
Applied physics letters, 2010-11, Vol.97 (18), p.183102-183102-3
2010
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Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation
Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (22), p.221906-221906-3
2011
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Over 1.8 GW/cm2 beveled-mesa NiO/β-Ga2O3 heterojunction diode with 800 V/10 A nanosecond switching capability
Applied physics letters, 2021-12, Vol.119 (26)
2021
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Stimulated emission at 340 nm from AlGaN multiple quantum well grown using high temperature AlN buffer technologies on sapphire
Applied physics letters, 2009-10, Vol.95 (16), p.161904-161904-3
2009
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Direct synthesis and characterization of CdS nanobelts
Applied physics letters, 2006-07, Vol.89 (3), p.033102-033102-3
2006
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Corner-pumped Yb: yttrium aluminum garnet slab laser emitted up to 1 kW
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (10), p.101113-101113-3
2006
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Room temperature continuous-wave operation of InAs∕InP(100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy
Applied physics letters, 2008-09, Vol.93 (11)
2008
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Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap
Applied physics letters, 2009-12, Vol.95 (25), p.251111-251111-3
2009
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Low substrate temperature fabrication of high-performance metal oxide thin-film by magnetron sputtering with target self-heating
Applied physics letters, 2013-03, Vol.102 (11)
2013
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High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (12), p.121102-121102-3
2011
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Photoluminescence characteristics of ZnCdO/ZnO single quantum well grown by pulsed laser deposition
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (12), p.121903-121903-3
2011
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