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Schottky barrier detectors on GaN for visible–blind ultraviolet detection
Applied physics letters, 1997-04, Vol.70 (17), p.2277-2279
1997
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Self-assembly from the branch pattern to parallel wire array in electrodeposition
Applied physics letters, 2006-05, Vol.88 (20)
2006
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High quality GaN–InGaN heterostructures grown on (111) silicon substrates
Applied physics letters, 1996-12, Vol.69 (23), p.3566-3568
1996
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Corrugated quantum well infrared photodetectors for normal incident light coupling
Applied physics letters, 1996-03, Vol.68 (11), p.1446-1448
1996
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Quantum shift of band-edge stimulated emission in InGaN–GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Applied physics letters, 1997-06, Vol.70 (22), p.2978-2980
1997
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Crystal orientation dependence of optical gain in InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
Applied physics letters, 2001-09, Vol.79 (10), p.1477-1479
2001
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Cleaved cavity optically pumped InGaN–GaN laser grown on spinel substrates
Applied physics letters, 1996-10, Vol.69 (16), p.2418-2420
1996
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InGaN-GaN based light-emitting diodes over (111) spinel substrates
Applied physics letters, 1996-07, Vol.69 (3), p.369-370
1996
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Photoluminescence study of high quality InGaN–GaN single heterojunctions
Applied physics letters, 1996-07, Vol.69 (5), p.668-670
1996
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Open Access
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Mg-doped green light emitting diodes over cubic (111) MgAl2O4 substrates
Applied physics letters, 1997-03, Vol.70 (11), p.1444-1446
1997
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