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  • BibTeX
Synthesis and processing of silicon nanocrystallites using a pulsed laser ablation supersonic expansion method
Applied physics letters, 1994-04, Vol.64 (14), p.1821-1823
1994
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Application of modified transmission line model to measure p-type GaN contact
Applied physics letters, 2004-12, Vol.85 (25), p.6086-6088
2004
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Modified transmission line model and its application to aluminum ohmic contacts with n -type GaN
Applied physics letters, 2004-04, Vol.84 (14), p.2584-2586
2004
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Electronic properties of the diamond films with nitrogen impurities: An x-ray absorption and photoemission spectroscopy study
Applied physics letters, 2000-12, Vol.77 (26), p.4362-4364
2000
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Post-growth modulation doping by ion implantation
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (26)
2020
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Low temperature absolute internal quantum efficiency of InGaN-based light-emitting diodes
Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (9)
2023
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Bifurcation-based mass sensing using piezoelectrically-actuated microcantilevers
Applied physics letters, 2011-04, Vol.98 (15), p.153510-153510-3
2011
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Low temperature absolute internal quantum efficiency of InGaN-based light-emitting diodes
Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (9)
2023
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Controllable graphene N-doping with ammonia plasma
Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (13), p.133110-133110-3
2010
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Complex refractive index tunability of graphene at 1550 nm wavelength
Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (3)
2015
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Full-range electrical characteristics of WS2 transistors
Applied physics letters, 2015-03, Vol.106 (12)
2015
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Reduction of spin backflow with underlying bulk WSe2 in Pt/Py/Al trilayers
Applied physics letters, 2024-08, Vol.125 (7)
2024
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  • BibTeX
Formation of nearly void-free Cu3Sn intermetallic joints using nanotwinned Cu metallization
Applied physics letters, 2014-04, Vol.104 (17)
2014
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Magneto-optical fiber sensor based on bandgap effect of photonic crystal fiber infiltrated with magnetic fluid
Applied physics letters, 2012-12, Vol.101 (24)
2012
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  • BibTeX
Role of tungsten dopants in indium oxide thin-film transistor on radiation hardness technology
Applied physics letters, 2020-05, Vol.116 (18)
2020
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Ultra-low turn-on voltage (0.37 V) vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode via oxygen plasma treatment
Applied physics letters, 2023-11, Vol.123 (21)
2023
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  • BibTeX
Piezoelectric ZnO-nanorod-structured pressure sensors using GaN-based field-effect-transistor
Applied physics letters, 2015-02, Vol.106 (7)
2015
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  • BibTeX
Improvement on thermal stability for indium gallium zinc oxide by oxygen vacancy passivation with supercritical fluid cosolvent oxidation
Applied physics letters, 2021-12, Vol.119 (23)
2021
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Open Access
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  • BibTeX
Structural and optical properties of cubic GaN on U-grooved Si (100)
Applied physics letters, 2022-07, Vol.121 (3)
2022
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  • BibTeX
Photodetection in p–n junctions formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals
Applied physics letters, 2016-11, Vol.109 (20)
2016
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Hydrogen-mediated long-range magnetic ordering in Pd-rich alloy film
Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (1)
2015
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Rigorous numerical modeling of scattering-type scanning near-field optical microscopy and spectroscopy
Applied physics letters, 2017-11, Vol.111 (22)
2017
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Twisted graphene-assisted photocarrier transfer from HgSe colloidal quantum dots into silicon with enhanced collection and transport efficiency
Applied physics letters, 2017-06, Vol.110 (24)
2017
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Three-dimensional mapping of nickel oxidation states using full field x-ray absorption near edge structure nanotomography
Applied physics letters, 2011-04, Vol.98 (17), p.173109-173109-3
2011
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  • BibTeX
Design of photonic crystal surface emitting lasers with indium-tin-oxide top claddings
Applied physics letters, 2018-02, Vol.112 (6)
2018
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