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Characteristics of a tunneling quantum-dot infrared photodetector operating at room temperature
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (19), p.191106-191106-3
2005
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AlGaAs emitter ∕ GaAs barrier terahertz detector with a 2.3 THz threshold
Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (7), p.071112-071112-3
2005
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Negative capacitance of GaAs homojunction far-infrared detectors
Applied physics letters, 1999-05, Vol.74 (21), p.3167-3169
1999
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Lattice vibrations in hexagonal Ga1−xMnxN epitaxial films on c-plane sapphire substrates by infrared reflectance spectra
Applied physics letters, 2006-02, Vol.88 (6)
2006
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Near- and far-infrared p-GaAs dual-band detector
Applied physics letters, 2005-04, Vol.86 (14)
2005
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GaAs/InGaAs quantum well infrared photodetector with a cutoff wavelength at 35 μm
Applied physics letters, 2000-07, Vol.77 (5), p.741-743
2000
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Cutoff tailorability of heterojunction terahertz detectors
Applied physics letters, 2003-01, Vol.82 (1), p.139-141
2003
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Heterojunction wavelength-tailorable far-infrared photodetectors with response out to 70 μm
Applied physics letters, 2001-04, Vol.78 (15), p.2241-2243
2001
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20 μm cutoff heterojunction interfacial work function internal photoemission detectors
Applied physics letters, 2004-05, Vol.84 (18), p.3435-3437
2004
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Dye-sensitized near-infrared room-temperature photovoltaic photon detectors
Applied physics letters, 2004-12, Vol.85 (23), p.5754-5756
2004
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Free carrier absorption in Be-doped epitaxial AlGaAs thin films
Applied physics letters, 2004-11, Vol.85 (22), p.5236-5238
2004
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GaAs/AlGaAs quantum well photodetectors with a cutoff wavelength at 28 μm
Applied physics letters, 1998-03, Vol.72 (13), p.1596-1598
1998
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Bias effects in high performance GaAs homojunction far-infrared detectors
Applied physics letters, 1997-11, Vol.71 (18), p.2677-2679
1997
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Transient photocurrent overshoot in quantum-well infrared photodetectors
Applied physics letters, 2001-09, Vol.79 (13), p.2094-2096
2001
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Demonstration of Si homojunction far-infrared detectors
Applied physics letters, 1998-05, Vol.72 (18), p.2307-2309
1998
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Dark current analysis of Si homojunction interfacial work function internal photoemission far-infrared detectors
Applied physics letters, 1995-04, Vol.66 (17), p.2262-2264
1995
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Far-infrared free-hole absorption in epitaxial silicon films for homojunction detectors
Applied physics letters, 1997-07, Vol.71 (4), p.515-517
1997
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Space charge analysis in quantum well structures leading to spontaneous pulsing
Applied physics letters, 1995-08, Vol.67 (7), p.962-964
1995
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Device model for pulsing in silicon p - i - n structures
Applied physics letters, 1994-02, Vol.64 (7), p.878-880
1994
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GaAs/AlGaAs superlattice miniband detector with 14.5 μm peak response
Applied physics letters, 1992-06, Vol.60 (24), p.3022-3024
1992
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Far infrared photoelectric thresholds of extrinsic semiconductor photocathodes
Applied physics letters, 1992-06, Vol.60 (25), p.3168-3170
1992
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Estimates of infrared intersubband emission and its angular dependence in GaAs/AlGaAs multiquantum well structures
Applied physics letters, 1991-07, Vol.59 (1), p.54-56
1991
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Interfacial work functions and extrinsic silicon infrared photocathodes
Applied physics letters, 1989-10, Vol.55 (17), p.1738-1740
1989
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Spike train generation and current-to-frequency conversion in silicon diodes
Applied physics letters, 1989-07, Vol.55 (5), p.478-480
1989
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Integrate-and-fire infrared detectors
Applied physics letters, 1987-11, Vol.51 (21), p.1711-1713
1987
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