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Lateral 2D WSe2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge‐Carrier‐Type Modulation for High‐Performance Optoelectronics
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9), p.e1906499-n/a
2020
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In Situ Real‐Time Study of the Dynamic Formation and Conversion Processes of Metal Halide Perovskite Films
Advanced materials (Weinheim), 2018-03, Vol.30 (11), p.n/a
2018
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Emerging Iontronic Neural Devices for Neuromorphic Sensory Computing
Advanced materials (Weinheim), 2023-09, Vol.35 (39), p.e2300329-e2300329
2023
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Stretchable Redox‐Active Semiconducting Polymers for High‐Performance Organic Electrochemical Transistors
Advanced materials (Weinheim), 2022-06, Vol.34 (23), p.e2201178-n/a
2022
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A‐D‐A Molecule–Bridge Interface for Efficient Perovskite Solar Cells and Modules
Advanced materials (Weinheim), 2024-06, Vol.36 (26), p.e2314098-n/a
2024
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Open Access
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Approaching the Ideal Linearity in Epitaxial Crystalline‐Type Memristor by Controlling Filament Growth
Advanced materials (Weinheim), 2024-07, Vol.36 (29), p.e2401021-n/a
2024
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Wafer‐Scale Fabrication of Ultrathin Flexible Electronic Systems via Capillary‐Assisted Electrochemical Delamination
Advanced materials (Weinheim), 2018-12, Vol.30 (50), p.e1805408-n/a
2018
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Photon‐Gated Spin Transistor
Advanced materials (Weinheim), 2017-01, Vol.29 (2), p.np-n/a
2017
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High‐Performance Optoelectronics: Lateral 2D WSe2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge‐Carrier‐Type Modulation for High‐Performance Optoelectronics (Adv. Mater. 9/2020)
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9), p.n/a
2020
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Lateral 2D WSe 2 p-n Homojunction Formed by Efficient Charge-Carrier-Type Modulation for High-Performance Optoelectronics
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9), p.e1906499
2020
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High‐Performance Optoelectronics: Lateral 2D WSe 2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge‐Carrier‐Type Modulation for High‐Performance Optoelectronics (Adv. Mater. 9/2020)
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9)
2020
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