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Model for gain dynamics in erbium-doped fibre amplifiers
Electronics letters, 1996-08, Vol.32 (16), p.1490-1491
1996
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Open Access
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A genome‐wide strategy for the identification of essential genes in Staphylococcus aureus
Molecular microbiology, 2002-03, Vol.43 (6), p.1387-1400
2002
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Narrow-linewidth, singlemode erbium-doped fiber laser with intracavity wave mixing in saturable absorber
Electronics letters, 1994-04, Vol.30 (8), p.648-649
1994
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Fast power transients in WDM optical networks with cascaded EDFAs
Electronics letters, 1997-02, Vol.33 (4), p.313
1997
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Short single frequency erbium-doped fibre laser
Electronics letters, 1992-07, Vol.28 (15), p.1385-1387
1992
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RecA protein of Escherichia coli and chromosome partitioning
Molecular microbiology, 1992-09, Vol.6 (17), p.2525-2537
1992
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Importance of state of methylation of oriC GATC sites in initiation of DNA replication in Escherichia coli
The EMBO journal, 1985-05, Vol.4 (5), p.1319-1326
1985
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Two-stage erbium-doped fibre amplifiers suitable for use in long-haul soliton systems
Electronics letters, 1994-06, Vol.30 (1), p.50-52
1994
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SBS and MPI suppression in analogue systems with integrated electroabsorption modulator/DFB laser transmitters
Electronics letters, 1996-08, Vol.32 (16), p.1502-1504
1996
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Intracavity-diode-pumped erbium doped fibre laser
Electronics letters, 1992-09, Vol.28 (19), p.1830-1832
1992
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Transmission at 2.5 Gbit/s over 654 km using an erbium-doped fibre grating laser source
Electronics letters, 1993, Vol.29 (12), p.1105-1106
1993
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Electrically tunable, diode-pumped erbium-doped fibre ring laser with fibre Fabry–Perot etalon
Electronics letters, 1991-10, Vol.27 (21), p.1950
1991
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1.8 Petabit/s downstream capacity WDM passive optical network
Electronics letters, 1997-07, Vol.33 (14), p.1231
1997
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Nonlinear four-wave mixing in erbium-doped fibre amplifiers
Electronics letters, 1993, Vol.29 (21), p.1858-1859
1993
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MOVPE InGaAs/InP grown directly on GaAs substrates
Electronics letters, 1986-10, Vol.22 (22), p.1186-1188
1986
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Highly uniform, high quantum efficiency GaInAsSb/AlGaAsSb double heterostructure lasers emitting at 2.2 μm
Electronics letters, 1989, Vol.25 (9), p.568
1989
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Singlemode diode-pumped tunable erbium-doped fibre laser with linewidth less than 5.5 kHz
Electronics letters, 1991-11, Vol.27 (23), p.2148
1991
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Highly uniform, high quantum efficiency GaInAsSb/AlGaAsSb double heterostructure lasers emitting at 2•2 μm
Electronics letters, 1989, Vol.25 (9), p.568-570
1989
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Singlemode diode-pumped tunable erbium-doped fibre laser with linewidth less than 5.5kHz
Electronics letters, 1991-11, Vol.27 (23), p.2148-2149
1991
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Room-temperature GalnAsSb/AlGaAsSb DH injection lasers at 2•2 μm
Electronics letters, 1985, Vol.21 (18), p.815-817
1985
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High-speed GaInAsSb/GaSb pin photodetectors for wavelengths to 2•3 μm
Electronics letters, 1986, Vol.22 (3), p.137-138
1986
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High-speed GaInAsSb/GaSb PIN photodetectors for wavelengths to 2• μm
Electronics letters, 1986, Vol.22 (3), p.137-138
1986
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Reduction of threshold current density of 2•2μm GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers
Electronics letters, 1986, Vol.22 (19), p.992-993
1986
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High-speed GaInAsSb/GaSb PIN photodetectors for wavelengths to 2.3 μm
Electronics letters, 1986-01, Vol.22 (3), p.137
1986
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Reduction of threshold current density of 2.2μm GaInAsSb/AlGaAsSb injection lasers
Electronics letters, 1986-09, Vol.22 (19), p.992
1986
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