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Traps and defects in pre- and post- stressed AlGaN-GaN high electron mobility transistors
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2011-07, Vol.208 (7), p.1611-1613
2011
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KollektionWiley Online Library
ThemaSemiconductor Electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid State Devices
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