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Heterostructures of Single-Wavelength and Dual-Wavelength Quantum-Cascade Lasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-06, Vol.52 (6), p.745-749
2018
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InAsSbP Photodiodes for 2.6-2.8-[micro]m Wavelengths
Technical physics, 2018-02, Vol.63 (2), p.226
2018
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Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-02, Vol.51 (2), p.260-266
2017
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Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-05, Vol.52 (5), p.622-624
2018
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Photodiode 1 x 64 linear array based on a double p-InAsSbP/n-In[As.sub.0.92][Sb.sub.0.08]/[n.sup.+]-InAs heterostructure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-05, p.646
2016
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Investigation of the Modified Structure of a Quantum Cascade Laser
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-01, Vol.52 (1), p.126-130
2018
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On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1412-1415
2016
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Plasmon-induced enhancement of yellow-red luminescence in InGaN/Au nanocomposites
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-02, Vol.49 (2), p.247-253, Article 247
2015
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Effect of postgrowth techniques on the characteristics of triple-junction inGaP/GaAs/Ge solar cells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-09, Vol.48 (9), p.1217
2014
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Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-06, Vol.50 (6), p.828-831
2016
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Manifestation of the Purcell effect in the conductivity of InAs/AlSb short-period superlattices
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-11, Vol.47 (11), p.1478-1480
2013
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Dark current-voltage characteristic of triple-junction solar cells: Their relation with the efficiency and the influence of passivating treatments
Technical physics, 2014-06, Vol.59 (6), p.879-883
2014
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Photonic crystals and Bragg gratings for the mid-IR and terahertz spectral ranges
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-12, Vol.47 (12), p.1570-1573
2013
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A decrease in ohmic losses and an increase in power in GaSb photovoltaic converters
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-09, Vol.45 (9), p.1219-1226
2011
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Spin injection in GaAs/GaSb quantum-well heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-02, Vol.44 (2), p.194-197
2010
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Study of photoluminescence and electroluminescence mechanisms in quantum-confined InSb/InAs heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-08, Vol.44 (8), p.1064-1069
2010
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Molecular beam epitaxy of thermodynamically metastable GaInAsSb alloys for medium IR-range photodetectors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-05, Vol.44 (5), p.672-677
2010
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Inheritance of quantitative characteristics of ear and kernel in a system of diallelic crosses of barley
Cytology and genetics, 1979, Vol.13
1979
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Inheritance of certain qualitative and quantitative characteristics in a system of diallelic crosses of barley
Cytology and genetics, 1978, Vol.12 (5)
1978
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Study of the genetic properties of spring barley varieties by use of dialletic crosses. i
Cytology and genetics, 1975, Vol.9 (2), p.12-16
1975
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study of the genetic characteristics of spring barley varieties utilizing diallelic crosses. iI
Cytology and genetics, 1975, Vol.9 (4), p.39-43
1975
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