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Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors
Nature (London), 2010-11, Vol.468 (7321), p.286-289
2010
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Quantum of optical absorption in two-dimensional semiconductors
Proceedings of the National Academy of Sciences - PNAS, 2013-07, Vol.110 (29), p.11688-11691
2013
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Ultrathin body InAs tunneling field-effect transistors on Si substrates
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (11), p.113105-113105-3
2011
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Automated Interpretation of Clinical Electroencephalograms Using Artificial Intelligence
JAMA neurology, 2023-08, Vol.80 (8), p.805
2023
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Lateral diffusion of minority carriers in InAsSb-based nBn detectors
Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (12), p.123503-123503-3
2010
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Strain engineering of epitaxially transferred, ultrathin layers of III-V semiconductor on insulator
Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (1), p.012111-012111-3
2011
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Midwave infrared InAs/GaSb strained layer superlattice hole avalanche photodiode
Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (20), p.201107-201107-3
2009
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Ultralow noise midwave infrared InAs-GaSb strain layer superlattice avalanche photodiode
Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (24), p.241111-241111-3
2007
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The effect of absorber doping on electrical and optical properties of nBn based type-II InAs/GaSb strained layer superlattice infrared detectors
Applied physics letters, 2009-09, Vol.95 (12), p.121110-121110-3
2009
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