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1990
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Electronics letters, 1992-05, Vol.28 (11), p.1040-1042, Article 1040
1992
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Very high gain in carbon-doped base heterojunction bipolar transistor grown by chemical beam epitaxy
1992
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Electronics letters, 1990, Vol.26 (13), p.889-891
1990
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Electronics letters, 1991, Vol.27 (1), p.93-95
1991
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Electronics letters, 1987, Vol.23 (8), p.417-419
1987
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