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Abnormally enhanced dielectric constant in ZrO2/Ta2O5 multi-laminate structures by metallic Ta formation
Materials letters, 2015-09, Vol.154, p.148-151
2015
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Bias polarity and frequency effects of Cu-induced dielectric breakdown in damascene Cu interconnects
Microelectronic engineering, 2012, Vol.89, p.58-61
2012
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Conformal electroless deposition of Cu seed layer on a 60-nm trench pattern modified with a self-assembled monolayer
Microelectronic engineering, 2009-03, Vol.86 (3), p.374-378
2009
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Low-temperature processing of sol–gel-derived lead–zirconate–titanate thin films by oxygen-plasma treatment
Current applied physics, 2002-10, Vol.2 (5), p.407-409
2002
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Crystallographic Orientation Dependent Ferroelectric Characteristics of (Bi3.3,La0.8)Ti3O12 (BLT) Capacitors
Integrated ferroelectrics, 2005-01, Vol.70 (1), p.89-97
2005
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Integration of Novel Capacitor Structure for High Density FeRAM With Barrier Metal TiAlN and (Bi,La)4Ti3O12
Integrated ferroelectrics, 2004-01, Vol.66 (1), p.107-113
2004
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EFFECT OF NITROGEN INCORPORATION ON ELECTRICAL PROPERTIES OF HIGH-K NANOMIXED HfxAlyOz FILM CAPACITORS GROWN ON RU METAL ELECTRODES BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
Integrated ferroelectrics, 2005-01, Vol.74 (1), p.131-136
2005
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Characterization of Hynix 16M Feram Adopted Novel Sensing Scheme
Integrated ferroelectrics, 2003-01, Vol.53 (1), p.343-351
2003
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Stacked Pt/BLT/Pt/IrOx/Ir capacitor for high density feram
Integrated ferroelectrics, 2001-01, Vol.39 (1-4), p.81-89
2001
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A Current-Gain Scheme for High Density and Low Voltage FeRAM
Integrated ferroelectrics, 2003-01, Vol.56 (1), p.1033-1043
2003
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Accelerated Publication: Conformal electroless deposition of Cu seed layer on a 60-nm trench pattern modified with a self-assembled monolayer
Microelectronic engineering, 2009-03, Vol.86 (3), p.374-378
2009
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EFFECT OF NITROGEN INCORPORATION ON ELECTRICAL PROPERTIES OF HIGH- K NANOMIXED Hf x Al y O z FILM CAPACITORS GROWN ON RU METAL ELECTRODES BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
Integrated ferroelectrics, 2005-09, Vol.74 (1), p.131-136
2005
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Crystallographic Orientation Dependent Ferroelectric Characteristics of (Bi 3.3 ,La 0.8 )Ti 3 O 12 (BLT) Capacitors
Integrated ferroelectrics, 2005-04, Vol.70 (1), p.89-97
2005
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Integration of Novel Capacitor Structure for High Density FeRAM With Barrier Metal TiAlN and (Bi,La) 4 Ti 3 O 12
Integrated ferroelectrics, 2004-01, Vol.66 (1), p.107-113
2004
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Gate-first high-k/metal gate DRAM technology for low power and high performance products
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2015, p.26.6.1-26.6.4
2015
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Fabrication of mega-bit FeRAM with both stacked Pt/SBTN/Pt/IrO x /Ir capacitor and 0.25μm cmos design rule
Integrated ferroelectrics, 2001-01, Vol.37 (1-4), p.57-66
2001
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Stacked Pt/BLT/Pt/IrO x /Ir capacitor for high density feram
Integrated ferroelectrics, 2001-01, Vol.39 (1-4), p.81-89
2001
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Effects of rapid thermal annealing (RTA) process on pysical and electrical properties of Bi 4 La 4-x Ti 3 O 12 (BLT) thin film
Integrated ferroelectrics, 2001-01, Vol.39 (1-4), p.151-159
2001
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Fabrication of double metal feram without degradation of remnant polarization by using Ir/IrOx capacitor contact barrier layer
Integrated ferroelectrics, 2000-11, Vol.31 (1-4), p.251-259
2000
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Open Access
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Lactate Activates the E2F Pathway to Promote Cell Motility by Up-Regulating Microtubule Modulating Genes
Cancers, 2019-02, Vol.11 (3), p.274
2019
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Fabrication of Si nano-pillar array through Ni nano-dot mask using inductively coupled plasma
Thin solid films, 2005-03, Vol.475 (1-2), p.41-44
2005
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