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Two-dimensional superlattices intercalated with chiral molecules for spin selectivity
Science China materials, 2022-11, Vol.65 (11), p.3184-3185
2022
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Carrier capture and emission properties of silicon interstitial defects in near SiC/SiO2 interface region
Applied surface science, 2020-06, Vol.514, p.145889, Article 145889
2020
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Low-temperature re-oxidation of near-interface defects and voltage stability in SiC MOS capacitors
Applied surface science, 2020-11, Vol.531, p.147312, Article 147312
2020
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Synergistic passivation effects of nitrogen plasma and oxygen plasma on improving the interface quality and bias temperature instability of 4H-SiC MOS capacitors
Applied surface science, 2020-05, Vol.513, p.145837, Article 145837
2020
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Interface properties and bias temperature instability with ternary H–Cl–N mixed plasma post-oxidation annealing in 4H–SiC MOS capacitors
Applied surface science, 2019-09, Vol.488, p.293-302
2019
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