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Reconfigurable Si Field-Effect Transistors With Symmetric On-States Enabling Adaptive Complementary and Combinational Logic
IEEE transactions on electron devices, 2024-02, Vol.71 (2), p.1-6
2024
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Industrial TCAD: Modeling Atoms to Chips
IEEE transactions on electron devices, 2021-11, Vol.68 (11), p.5350-5357
2021
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Carrier transport in HfO2/metal gate MOSFETs : Physical insight into critical parameters
IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.759-768
2006
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On the Variability in Planar FDSOI Technology: From MOSFETs to SRAM Cells
IEEE transactions on electron devices, 2011-08, Vol.58 (8), p.2326-2336
2011
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High-Performance Ultrathin Body c-SiGe Channel FDSOI pMOSFETs Featuring SiGe Source and Drain: Vth Tuning, Variability, Access Resistance, and Mobility Issues
IEEE transactions on electron devices, 2013-05, Vol.60 (5), p.1568-1574
2013
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Fabrication and mobility characteristics of SiGe surface channel pMOSFETs with a HfO2/TiN gate stack
IEEE transactions on electron devices, 2006-03, Vol.53 (3), p.449-456
2006
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Comparison of zincblende-phase GaN, cubic-phase SiC, and GaAs MESFETs using a full-band Monte Carlo Simulator
IEEE transactions on electron devices, 2003-11, Vol.50 (11), p.2202-2207
2003
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Thermal conductivity measurements of thin silicon dioxide films in integrated circuits
IEEE transactions on electron devices, 1996-09, Vol.43 (9), p.1602-1609
1996
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Selective area growth and characterization of AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors by metalorganic chemical vapor deposition
IEEE transactions on electron devices, 2001-03, Vol.48 (3), p.490-494
2001
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Fabrication and mobility characteristics of SiGe surface channel pMOSFETs with a HfO/sub 2//TiN gate stack
IEEE transactions on electron devices, 2006-03, Vol.53 (3), p.449-456
2006
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A model for the time- and bias-dependence of p-MOSFET degradation
IEEE transactions on electron devices, 1994-07, Vol.41 (7), p.1184-1196
1994
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Carrier transport in HfO/sub 2//metal gate MOSFETs: physical insight into critical parameters
IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.759-768
2006
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Fabrication and mobility characteristics of SiGe surface channel pMOSFETs with a HfO sub(2)/TiN gate stack
IEEE transactions on electron devices, 2006-01, Vol.53 (3)
2006
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Carrier transport in HfO sub(2)/metal gate MOSFETs: physical insight into critical parameters
IEEE transactions on electron devices, 2006-01, Vol.53 (4)
2006
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Carrier Transport inHfO_2/MetalGate MOSFETs: Physical Insight Into Critical Parameters
IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.759-768
2006
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Hot-carrier degradation of p-MOSFET's under analog operation
IEEE transactions on electron devices, 1997-04, Vol.44 (4), p.607-617
1997
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Dynamic degradation in MOSFET's--Part I: The physical effects
IEEE transactions on electron devices, 1991-01, Vol.38 (8), p.1852-1858
1991
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Hot-hole-induced negative oxide charges in n-MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 1995-08, Vol.42 (8), p.1473-1480
1995
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Dynamic degradation in MOSFET's--Part II: Application in the circuit environment
IEEE transactions on electron devices, 1991-01, Vol.38 (8), p.1859-1867
1991
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Dynamic degradation in MOSFET's. I. The physical effects
IEEE transactions on electron devices, 1991-08, Vol.38 (8), p.1852-1858
1991
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Dynamic degradation in MOSFET's. II. Application in the circuit environment
IEEE transactions on electron devices, 1991-08, Vol.38 (8), p.1859-1867
1991
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Dynamic degradation in MOSFET' s. II. Application in the circuitenvironment
IEEE transactions on electron devices, 1991-08, Vol.38 (8), p.1859-1867
1991
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KollektionIEEE Xplore Digital Library
Zeitschrift / SerieIeee Transactions On Electron Devices
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