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Millimeter-wave low-noise and high-power metamorphic HEMT amplifiers and devices on GaAs substrates

IEEE journal of solid-state circuits, 2000-09, Vol.35 (9), p.1307-1311

Whelan, C.S.
Kazior, T.E.
Marsh, P.F.
Hoke, W.E.
McTaggart, R.A.
Lyman, P.S.
Lemonias, P.J.
Lardizabal, S.M.
Leoni, R.E.
Lichwala, S.J.

2000

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High power and gain at 35 GHz utilizing an InAlGaAs-In/sub 0.32/Ga/sub 0.68/As metamorphic HEMT

GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 21st Annual. Technical Digest 1999 (Cat. No.99CH36369), 1999, p.225-228

Whelan, C.S.
Hoke, W.E.
McTaggart, R.A.
Lyman, P.S.
Marsh, P.F.
Lichwala, S.J.
Kazior, T.E.

1999

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High breakdown voltage InAlGaAs/In/sub 0.32/Ga/sub 0.68/As metamorphic HEMT for microwave and MM-wave power applications

1999 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.99CH36282), 1999, Vol.3, p.1187-1190 vol.3

Whelan, C.S.
Hoke, W.E.
McTaggart, R.A.
Lyman, P.S.
Marsh, P.F.
Leoni, R.E.
Lichwala, S.J.
Kazior, T.E.

1999

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High power and gain at 35 GHz utilizing an InAlGaAs-In/sub 0.32/Ga/sub 0.68/As metamorphic HEMT

High breakdown voltage InAlGaAs/In/sub 0.32/Ga/sub 0.68/As metamorphic HEMT for microwave and MM-wave power applications

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