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Effect of V-Shaped Pit Size on the Reverse Leakage Current of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
IEEE electron device letters, 2013-11, Vol.34 (11), p.1409-1411
2013
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Investigation of Reverse Leakage Characteristics of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Silicon
IEEE electron device letters, 2012-12, Vol.33 (12), p.1741-1743
2012
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Reliability on EUV Interconnect Technology for 7nm and beyond
2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2020, p.1-4
2020
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Reliability of MIM HAO capacitor for 70nm DRAM
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual, 2005, p.686-687
2005
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Fluidic assisted self-alignment transfer and integration of micro light-emitting diodes using engineered van der Waals forces
2023 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2023, p.1-2
2023
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Extreamly Advanced Cu Interconnect with Selective ALD Barrier for High Performance Logic Device
2023 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) and IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (MAM)(IITC/MAM), 2023, p.1-3
2023
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Development of highly robust nano-mixed HfxAlyOz dielectrics for TiN/HfxAlyOz/TiN capacitor applicable to 65nm generation DRAMs
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Development of highly robust nano-mixed Hf/sub x/Al/sub y/O/sub z/ dielectrics for TiN/Hf/sub x/Al/sub y/O/sub z//TiN capacitor applicable to 65nm generation DRAMs
Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004, 2004, p.126-127
2004
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Accurate and Efficient Computation of System-Level ESD Noise Waveforms in ISO 10605 Standard Using Decomposition Method and Split-Domain Approach
IEEE transactions on electromagnetic compatibility, 2022-12, Vol.64 (6), p.1847-1858
2022
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Dynamic Dual Quantization-Domain Decoding for NR LDPC Codes
2021 IEEE 93rd Vehicular Technology Conference (VTC2021-Spring), 2021, p.1-5
2021
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Stopping Criterion for LDPC Decoder based on PEXIT Chart Analysis
2020 IEEE Wireless Communications and Networking Conference (WCNC), 2020, p.1-6
2020
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14nm FinFET Node Embedded MRAM Technology for Automotive Non-Volatile RAM Applications with Endurance Over 1E12-Cycles
2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2024, p.1-2
2024
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5.5 A 2.1e− Temporal Noise and −105dB Parasitic Light Sensitivity Backside-Illuminated 2.3µm-Pixel Voltage-Domain Global Shutter CMOS Image Sensor Using High-Capacity DRAM Capacitor Technology
2020 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), 2020, p.102-104
2020
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Logistic Regression for LDPC Decoding Failure Prediction
2021 IEEE 18th Annual Consumer Communications & Networking Conference (CCNC), 2021, p.1-6
2021
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Dynamic Dual Quantization-Domain Self-Corrected LDPC Decoder
2021 IEEE 18th Annual Consumer Communications & Networking Conference (CCNC), 2021, p.1-2
2021
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Analysis of Factors Affecting the Transfer of Educational Training of Science and Technology Personnel
2022 IEEE International Conference on Big Data and Smart Computing (BigComp), 2022, p.345-351
2022
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3-Layer Stacked Voltage-Domain Global Shutter CMOS Image Sensor with 1.8μm-Pixel-Pitch
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, p.37.5.1-37.5.4
2022
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Outage Probability-based Adaptive Guard Band Allocation for Mixed Numerology
2020 IEEE 17th Annual Consumer Communications & Networking Conference (CCNC), 2020, p.1-4
2020
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Lateral-Extended (LatEx.) active for improvement of data retention time for sub 60nm DRAM era
ESSDERC 2007 - 37th European Solid State Device Research Conference, 2007, p.327-329
2007
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Overcoming DRAM scaling limitations by employing straight recessed channel array transistors with uni-axial and [100] uni-plane channels
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest, 2005, p.319-322
2005
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