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Direct evidence of phase separation in Ge2Sb2Te5 in phase change memory devices
Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (19)
2009
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Thin film alloy mixtures for high speed phase change optical storage: A study on (Ge1Sb2Te4)1−x(Sn1Bi2Te4)x
Applied physics letters, 2002-05, Vol.80 (18), p.3313-3315
2002
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Phase separation behavior of Ge2Sb2Te5 line structure during electrical stress biasing
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11)
2008
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Open Access
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Separate domain formation in Ge2Sb2Te5–SiOx mixed layer
Applied physics letters, 2006-10, Vol.89 (16)
2006
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Direct evidence of phase separation in Ge 2 Sb 2 Te 5 in phase changememory devices
Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (19), p.193504-193504-3
2009
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Phase separation behavior of Ge 2 Sb 2 Te 5 line structure during electrical stress biasing
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11), p.111913-111913-3
2008
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Separate domain formation in Ge 2 Sb 2 Te 5 - Si O x mixed layer
Applied physics letters, 2006-10, Vol.89 (16), p.163503-163503-3
2006
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