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High performance 3D printed electronics using electroless plated copper
AIP advances, 2017-03, Vol.7 (3), p.035314-035314-5
2017
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Low resistance Pd/Au ohmic contacts to p-type GaN using surface treatment
Applied physics letters, 1998-11, Vol.73 (20), p.2953-2955
1998
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Formation of V-shaped pits in InGaN/GaN multiquantum wells and bulk InGaN films
Applied physics letters, 1998-09, Vol.73 (12), p.1634-1636
1998
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Ohmic contact formation mechanism of nonalloyed Pd contacts to p -type GaN observed by positron annihilation spectroscopy
Applied physics letters, 1999-04, Vol.74 (16), p.2289-2291
1999
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Crystal tilting in GaN grown by pendoepitaxy method on sapphire substrate
Applied physics letters, 1999-12, Vol.75 (26), p.4109-4111
1999
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An investigation on the effects of phase change material on material components used for high temperature thermal energy storage system
AIP Conference Proceedings, 2016, Vol.1734 (1)
2016
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Effect of surface treatment by (NH4)2Sx solution on the reduction of ohmic contact resistivity of p -type GaN
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1999-03, Vol.17 (2), p.497-499
1999
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Effect of Au overlayer on Ni contacts to p-type GaN
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1999-11, Vol.17 (6), p.2675-2678
1999
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Peculiarities of catastrophic optical damage in single quantum well InGaAsP/InGaP buried-heterostructure lasers
Journal of applied physics, 1994-02, Vol.75 (3), p.1840-1842
1994
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Effect of surface treatment by ( NH 4 ) 2 S x solution on the reduction of ohmic contact resistivity of p-type GaN
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1999-03, Vol.17 (2), p.497-499
1999
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The effects of germanium concentration on the compound formation and morphology of gold‐based contacts to gallium arsenide
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1986-05, Vol.4 (3), p.762-768
1986
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ZnO nanorods-graphene hybrid structures for enhanced current spreading and light extraction in GaN-based light emitting diodes
Applied physics letters, 2012-02, Vol.100 (6), p.061107-061107-5
2012
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