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Large lattice-relaxation-induced intrinsic shallow p-type characteristics in monolayer black phosphorus and black arsenic
Applied physics letters, 2021-02, Vol.118 (8)
2021
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Modulation of electronic and optical properties in mixed halide perovskites CsPbCl3xBr3(1-x) and CsPbBr3xI3(1-x)
Applied physics letters, 2017-03, Vol.110 (11)
2017
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Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band
Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (1)
2018
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Manipulation of crystalline structure, magnetic performance, and topological feature in Mn3Ge films
APL materials, 2021-11, Vol.9 (11), p.111107-111107-7
2021
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Origin of the discrepancy between the fundamental and optical gaps and native defects in two dimensional ultra-wide bandgap semiconductor: Gallium thiophosphate
Applied physics letters, 2022-04, Vol.120 (17)
2022
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Clarification of the relative magnitude of exciton binding energies in ZnO and SnO2
Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (4)
2022
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Carrier injection induced degradation of nitrogen passivated SiC–SiO2 interface simulated by time-dependent density functional theory
Journal of applied physics, 2024-03, Vol.135 (10)
2024
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Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study
Applied physics letters, 2010-04, Vol.96 (16), p.162508-162508-3
2010
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Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods
Journal of applied physics, 2009-10, Vol.106 (8), p.084510-084510-9
2009
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Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Journal of applied physics, 2008-06, Vol.103 (12), p.124507-124507-5
2008
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The mechanism of improving germanium metal–oxide–semiconductor field-effect transistors’ reliability by high-k dielectric and yttrium-doping: From the view of charge trapping
Journal of applied physics, 2022-11, Vol.132 (17)
2022
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Investigation and passivation of boron and hydrogen impurities in tetragonal ZrO2 dielectrics for dynamic random access memory capacitors
Journal of applied physics, 2023-03, Vol.133 (12)
2023
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Modulation of electronic and optical properties in mixed halide perovskites CsPbCl3 x Br3(1- x ) and CsPbBr3 x I3(1- x )
Applied physics letters, 2017-03, Vol.110 (11)
2017
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Multiple Valley Couplings in Nanometer Si MOSFETs
Journal of applied physics, 2008-07, Vol.103
2008
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