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Surface plasmon enhanced spontaneous emission rate of InGaN ∕ GaN quantum wells probed by time-resolved photoluminescence spectroscopy
Applied physics letters, 2005-08, Vol.87 (7), p.071102-071102-3
2005
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Confocal microphotoluminescence of InGaN-based light-emitting diodes
Journal of applied physics, 2005-09, Vol.98 (6), p.064503-064503-7
2005
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Spatial and temporal luminescence dynamics in an InxGa1−xN single quantum well probed by near-field optical microscopy
Applied physics letters, 2002-12, Vol.81 (23), p.4353-4355
2002
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Discrimination of local radiative and nonradiative recombination processes in an InGaN/GaN single-quantum-well structure by a time-resolved multimode scanning near-field optical microscopy
Applied physics letters, 2003-10, Vol.83 (17), p.3462-3464
2003
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Radiative and nonradiative recombination processes in ultraviolet light-emitting diode composed of an In0.02Ga0.98N active layer
Applied physics letters, 1999-01, Vol.74 (4), p.558-560
1999
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Observation of optical instabilities in the photoluminescence of InGaN single quantum well
Applied physics letters, 2006-02, Vol.88 (6), p.061118-061118-3
2006
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Degenerate four-wave-mixing spectroscopy on epitaxially laterally overgrown GaN: Signals from below the fundamental absorption edge
Applied physics letters, 2001-10, Vol.79 (15), p.2351-2353
2001
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A new type of rocket-borne neutral atom analyzer
Review of scientific instruments, 2000-08, Vol.71 (8), p.3024-3030
2000
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