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On the stochastic nature of resistive switching in Cu doped Ge0.3Se0.7 based memory devices
Journal of applied physics, 2011-09, Vol.110 (5)
2011
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Influence of charge compensation mechanisms on the sheet electron density at conducting LaAlO3/SrTiO3-interfaces
Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (5)
2012
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Influence of charge compensation mechanisms on the sheet electron density at conducting LaAlO 3 /SrTiO 3 -interfaces
Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (5), p.052103-052103-3
2012
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Fatigue effect in ferroelectric PbZr1−xTixO3 thin films
Journal of applied physics, 2006-06, Vol.99 (11)
2006
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On the stochastic nature of resistive switching in Cu doped Ge 0.3 Se 0.7 based memory devices
Journal of applied physics, 2011-09, Vol.110 (5), p.054509-054509-10
2011
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Fatigue effect in ferroelectric Pb Zr 1 − x Ti x O 3 thin films
Journal of applied physics, 2006-06, Vol.99 (11), p.114104-114104-5
2006
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