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  • BibTeX
Design of a 4H-SiC RESURF n-LDMOS Transistor for High Voltage Integrated Circuits
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.629-632
2019
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On the Origin of Charge Compensation in Aluminum-Implanted n-Type 4H-SiC by Analysis of Hall Effect Measurements
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.433-436
2019
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Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.184-187
2018
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Conduction Loss Reduction for Bipolar Injection Field-Effect-Transistors (BIFET)
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.917-920
2016
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Temperature Dependent Characterization of Bipolar Injection Field-Effect-Transistors (BiFET) for Determining the Short-Circuit-Capability
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.806-809
2015
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Robust Double-Ring Junction Termination Extension Design for High Voltage Power Semiconductor Devices Based on 4H-SiC
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.656-659
2015
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High-Voltage Modular Switch Based on SiC VJFETs - First Results for a Fast 4.5kV/1.2Ω Configuration
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.793-796
2003
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To Be ''Snappy'' or Not - a Comparison of the Transient Behaviours of Bipolar SiC-Diodes
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.895-900
2003
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Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
2018 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2018, p.66-69
2018
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Characterization of fast 4.5 kV SiC p-n diodes
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094), 2000, p.241-244
2000
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SiC-Powerdiodes: Design and performance
2007 European Conference on Power Electronics and Applications, 2007, p.1-10
2007
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