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Determination of Filament Parameters on the Spherical Tokamak Globus-M2 Using Doppler Backscattering
Technical physics letters, 2023-12, Vol.49 (Suppl 3), p.S239-S242
2023
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Epitaxial silicon carbide on a 6″ silicon wafer
Technical physics letters, 2014, Vol.40 (1), p.36-39
2014
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Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer
Technical physics letters, 2014-05, Vol.40 (5), p.386-388
2014
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Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique
Technical physics letters, 2013-05, Vol.39 (5), p.488-491
2013
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Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate
Technical physics letters, 2013-03, Vol.39 (3), p.274-276
2013
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Structural characterization of GaN epilayers on silicon: Effect of buffer layers
Technical physics letters, 2011-04, Vol.37 (4), p.326-329
2011
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Electron-microscopic investigation of a SiC/Si(111) structure obtained by solid phase epitaxy
Technical physics letters, 2008-11, Vol.34 (11), p.992-994
2008
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Group-III-nitride-based light-emitting diode on silicon substrate with epitaxial nanolayer of silicon carbide
Technical physics letters, 2012-03, Vol.38 (3), p.297-299
2012
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Aluminum nitride on silicon: Role of silicon carbide interlayer and chloride vapor-phase epitaxy technology
Technical physics letters, 2010-06, Vol.36 (6), p.496-499
2010
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Chloride vapor-phase epitaxy of gallium nitride on silicon: Effect of a silicon carbide interlayer
Technical physics letters, 2008-06, Vol.34 (6), p.479-482
2008
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New possibilities in nanoscale surface structure diagnostics using X-ray standing waves under conditions of continuous resonant X-ray Raman scattering
Technical physics letters, 2008-07, Vol.34 (7), p.568-570
2008
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Open Access
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MBE growth of InGaN nanowires on SiC/Si(111) and Si(111) substrates: comparative analysis
Technical Physics Letters, 2022, Vol.48 (14), p.24
2022
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Thin-film PZT/SiC structure on silicon substrate: Formation, structural features, and dielectric properties
Technical physics letters, 2008-10, Vol.34 (10), p.838-840
2008
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High-temperature annealing of bulk GaN layers
Technical physics letters, 2002-12, Vol.28 (12), p.994-996
2002
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Initial stages of the GaN growth on oxidized silicon
Technical physics letters, 2001-12, Vol.27 (12), p.1010-1012
2001
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ThemaSilicon Carbide
Zeitschrift / SerieTechnical Physics Letters
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