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Role of dislocation scattering on the electron mobility of n-type long wave length infrared HgCdTe on silicon
Journal of electronic materials, 2007-08, Vol.36 (8), p.1098-1105
2007
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Molecular beam epitaxy grown long wavelength infrared HgCdTe on Si detector performance
Journal of electronic materials, 2005-06, Vol.34 (6), p.832-838
2005
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Long wavelength infrared, molecular beam epitaxy, HgCdTe-on-Si diode performance
Journal of electronic materials, 2004-06, Vol.33 (6), p.531-537
2004
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Open Access
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Material quality characterization of CdZnTe substrates for HgCdTe epitaxy
Journal of electronic materials, 2006-06, Vol.35 (6), p.1495-1502
2006
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LWIR HgCdTe on Si detector performance and analysis
Journal of electronic materials, 2006-06, Vol.35 (6), p.1417-1422
2006
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Correlation of CdZnTe(211)B substrate surface morphology and HgCdTe(211)B epilayer defects
Journal of electronic materials, 2004-08, Vol.33 (8), p.881-885
2004
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A novel simultaneous unipolar multispectral integrated technology approach for HgCdTe ir detectors and focal plane arrays
Journal of electronic materials, 2001-06, Vol.30 (6), p.590-594
2001
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The effect of electron cyclotron resonance plasma parameters on the aspect ratio of trenches in HgCdTe
Journal of electronic materials, 2003-07, Vol.32 (7), p.692-697
2003
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Inductively coupled plasma etching for large format HgCdTe focal plane array fabrication
Journal of electronic materials, 2005-06, Vol.34 (6), p.746-753
2005
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Surface structure of plasma-etched (211)B HgCdTe
Journal of electronic materials, 2005-06, Vol.34 (6), p.726-732
2005
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High-resolution mapping of infrared photoluminescence
Journal of electronic materials, 2004-06, Vol.33 (6), p.714-718
2004
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Scalability of dry-etch processing for small unit-cell HgCdTe focal-plane arrays
Journal of electronic materials, 2003-07, Vol.32 (7), p.821-826
2003
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Arsenic deposition as a precursor layer on silicon (211) and (311) surfaces
Journal of electronic materials, 2005-06, Vol.34 (6), p.846-850
2005
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ThemaPsychiatry
Zeitschrift / SerieJournal Of Electronic Materials
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