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Understanding random telegraph noise in two-dimensional BP/ReS2 heterointerface
Applied physics letters, 2022-06, Vol.120 (25)
2022
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Current fluctuation of electron and hole carriers in multilayer WSe 2 field effect transistors
Applied physics letters, 2015-12, Vol.107 (24)
2015
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Separation of interlayer resistance in multilayer MoS 2 field-effect transistors
Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (23)
2014
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Resistive switching characteristics of polycrystalline SrTiO{sub 3} films
Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (24)
2014
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Effect of humidity and thermal curing of polymer gate dielectricson the electrical hysteresis of SnO 2 nanowire field effect transistors
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (10), p.102906-102906-3
2011
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Current fluctuation of electron and hole carriers in multilayer WSe{sub 2} field effect transistors
Applied physics letters, 2015-12, Vol.107 (24)
2015
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Separation of interlayer resistance in multilayer MoS{sub 2} field-effect transistors
Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (23)
2014
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A direct measurement of the local resistances in a ZnO tetrapodby means of impedance spectroscopy: The role of the junctionin the overall resistance
Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (4), p.042111-042111-3
2008
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Effect of gate dielectrics on the device performance of SnO 2 nanowire field effect transistors
Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (10), p.102908-102908-3
2010
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Controlled surface adsorption of fd filamentous phage by tuning of the p H and the functionalization of the surface
Journal of applied physics, 2011-03, Vol.109 (6), p.064701-064701-6
2011
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Photoconductance of aligned SnO 2 nanowire field effect transistors
Applied physics letters, 2009-07, Vol.95 (4), p.043107-043107-3
2009
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Origin of the slow photoresponse in an individual sol-gel synthesizedZnO nanowire
Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (15), p.153106-153106-3
2007
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V 2 O 5 nanowire-based nanoelectronic devices for helium detection
Applied physics letters, 2005-06, Vol.86 (25), p.253102-253102-3
2005
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