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pMOSFET with 200% mobility enhancement induced by multiple stressors

IEEE electron device letters, 2006-06, Vol.27 (6), p.511-513

2006

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Scalability of the Si/sub 1-x/Ge/sub x/ source/drain technology for the 45-nm technology node and beyond

IEEE transactions on electron devices, 2006-07, Vol.53 (7), p.1647-1656

2006

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Layout impact on the performance of a locally strained PMOSFET

Digest of Technical Papers. 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005, 2005, p.22-23

2005

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Manufacturable Processes for < 32-nm-node CMOS Enhancement by Synchronous Optimization of Strain-Engineered Channel and External Parasitic Resistances

IEEE transactions on electron devices, 2008-05, Vol.55 (5), p.1259-1264

2008

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Development of ALD HfZrO[sub x] with TDEAH/TDEAZ and H[sub 2]O

Journal of the Electrochemical Society, 2011, Vol.158 (1), p.H69

2011

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Leakage Current Control in Recessed SiGe Source/Drain Junctions

Journal of the Electrochemical Society, 2007, Vol.154 (9), p.H814

2007

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Reduction of boron diffusion in silicon by 1 MeV 29Si+ irradiation

Applied physics letters, 1991-03, Vol.58 (9), p.922-924

1991

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Non-destructive characterization of the uniformity of thin cobalt disilicide films by Raman microprobe measurements

Thin solid films, 1994-10, Vol.251 (1), p.45-50

1994

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Two-step anneals to avoid bridging during Co silicidation

Applied surface science, 1993-01, Vol.73, p.162-166

1993

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Non-destructive thickness determination of thin cobalt and cobalt disilicide layers on silicon substrates

Thin solid films, 1994-03, Vol.240 (1), p.110-113

1994

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Reduction of secondary defects in MeV ion-implanted silicon by means of ion beam defect engineering

Journal of applied physics, 1992-04, Vol.71 (8), p.3780-3784

1992

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Ultrashallow junctions formed by C coimplantation with spike plus submelt laser annealing

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2008-01, Vol.26 (1), p.281-285

2008

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Electrically active, ion implanted boron at the solubility limit in silicon

Applied physics letters, 1993-08, Vol.63 (8), p.1134-1136

1993

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Avoiding preamorphization damage in MeV heavy ion-implanted silicon

Applied physics letters, 1991-06, Vol.58 (24), p.2827-2829

1991

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Reduction of secondary defect formation in MeV B+ ion-implanted Si(100)

Applied physics letters, 1989-10, Vol.55 (18), p.1838-1840

1989

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Manufacturable Processes for \leq 32-nm-node CMOS Enhancement by Synchronous Optimization of Strain-Engineered Channel and External Parasitic Resistances

IEEE transactions on electron devices, 2008-05, Vol.55 (5), p.1259-1264

2008

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Productivity enhancement using a methodical approach to defect reduction based on synergy of process and defect metrology knowledge

Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop, 2003 IEEEI/SEMI, 2003, p.9-16

2003

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Formation of ultrathin CoSi2 films using a two-step limited reaction process

Journal of materials research, 1993-12, Vol.8 (12), p.3111-3121

1993

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Avoiding dislocations in ion-implanted silicon

ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference, 1992, Vol.19 (1), p.357-362

1992

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O2 post deposition anneal of Al2O3 blocking dielectric for higher performance and reliability of TANOS Flash memory

2009 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, 2009, p.272-275

2009

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Scaling Down of MOCVD HfSiON to 1nm EOT

ECS transactions, 2007, Vol.11 (4), p.13-24

2007

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Laser-annealed junctions with advanced CMOS gate stacks for 32nm Node: Perspectives on device performance and manufacturability

2008 Symposium on VLSI Technology, 2008, p.186-187

2008

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pMOSFET With 200%25 Mobility Enhancement Induced by Multiple Stressors

IEEE electron device letters, 2006-06, Vol.27 (6), p.511-513

2006

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Study of Ni-Silicide Contacts to Si:C Source/Drain

ECS transactions, 2006, Vol.3 (2), p.139-147

2006

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Thermal stability of CoSi2 on submicron polycrystalline silicon lines

Microelectronic engineering, 1992-09, Vol.19 (1-4), p.665-668

1992

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