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Fabrication of three terminal devices via a whole-wafer processing route
IEEE Transactions on Magnetics (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (United States), 1991-03, Vol.27 (2), p.3145-3148
1991
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Fabrication of sub-micron whole-wafer SIS tunnel junctions for millimeter wave mixers
IEEE transactions on magnetics, 1991-03, Vol.27 (2), p.3161-3164
1991
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Ultra-high quality Nb/AlO(x)/Nb tunnel junctions with epitaxial base layers
IEEE transactions on magnetics, 1991-03, Vol.27 (2), p.3137-3140
1991
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Relation of the < e1 > N < /e1 > -value of the resistive transition to microstructure and inhomogeneity for YBa(2)Cu(3)O(7) wires
IEEE transactions on magnetics, 1989-03, Vol.25 (2), p.2041-2044
1989
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Relation of the n-value of the resistive transition to microstructure and inhomogeneity for YBa sub(2)Cu sub(3)O sub(7)
IEEE transactions on magnetics, 1989-01, Vol.25 (2), p.2041-2044
1989
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ThemaPhysics, Applied
Zeitschrift / SerieIeee Transactions On Magnetics
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