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Hybrid longitudinal-transverse phonon polaritons
Nature communications, 2019-04, Vol.10 (1), p.1682-1682, Article 1682
2019
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Remarkable heat conduction mediated by non-equilibrium phonon polaritons
Nature (London), 2023-11, Vol.623 (7986), p.307-312
2023
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Towards low- loss on-chip nanophotonics with coupled graphene and silicon carbide: a review
JPhys materials, 2020-07, Vol.3 (3), p.32005
2020
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Structure and Morphology of Inclusions in 4° Offcut 4H-SiC Epitaxial Layers
Journal of electronic materials, 2011-04, Vol.40 (4), p.413-418
2011
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Aspect-ratio driven evolution of high-order resonant modes and near-field distributions in localized surface phonon polariton nanostructures
Scientific reports, 2016-09, Vol.6 (1), p.32959, Article 32959
2016
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Theoretical analysis of graphene plasmon cavities
Applied materials today, 2018-09, Vol.12, p.283-293
2018
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Differences in Emission Spectra of Dislocations in 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.345-348
2009
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Effect of Bipolar Gate-to-Drain Current on the Electrical Properties of Vertical Junction Field Effect Transistors
Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.719-722
2009
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Recent Developments in SiC Homoepitaxy Using Dichlorosilane for High Power Devices
MRS proceedings, 2010-01, Vol.1246 (1), Article 1246-B04-06
2010
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Temperature Dependence of Shockley Stacking Fault Expansion and Contraction in 4H-SiC p-i-n Diodes
Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.273-278
2009
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Dry Techniques for Epitaxial Graphene Transfer
MRS proceedings, 2010, Vol.1259 (1), Article 1259-S18-05
2010
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Recovery of Bipolar-Current Induced Degradations in High-Voltage Implanted-Gate Junction Field Effect Transistors
Materials science forum, 2012, Vol.717-720, p.1013-1016
2012
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Influence of Shockley stacking fault propagation and contraction on electrical behavior of 4H-SiC pin diodes and DMOSFETs
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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Extended defects that affect carrier lifetime in high blocking voltage SiC epilayers
2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011, p.1-2
2011
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