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Calculation of the Temperature Dependence of the Coulomb-Acceptor State Energy in a Narrow-Gap HgCdTe Solid Solution
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-12, Vol.55 (12), p.907-913
2021
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Calculation of the Resonance States of Coulomb Acceptors in Zero-Gap Semiconductors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-06, Vol.55 (6), p.537-541
2021
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Investigation of the Dependence of the Silicon Needle Shape on the KOH Solution Concentration during Anisotropic Wet Etching
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023, Vol.57 (1), p.52-57
2023
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Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1198-1202
2019
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Simulation of Material Sputtering and Gallium Implantation during Focused Ion Beam Irradiation of a Silicon Substrate
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023, Vol.57 (1), p.58-64
2023
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Effect of Internal Optical Losses on the Generation of Mid-IR Stimulated Emission in Waveguide Heterostructures with HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-12, Vol.55 (12), p.899-902
2021
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Simulation of Silicon Carbide Sputtering by a Focused Gallium Ion Beam
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-12, Vol.56 (13), p.487-492
2022
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Two-Frequency Stimulated Emission in Hg(Cd)Te/CdHgTe Heterostructure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2024, Vol.58 (1), p.12-16
2024
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Investigation into Microwave Absorption in Semiconductors for Frequency-Multiplication Devices and Radiation-Output Control of Continuous and Pulsed Gyrotrons
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1069-1074
2020
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Generation of Terahertz Radiation in InP:Fe Crystals Due to Second-Order Lattice Nonlinearity
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-10, Vol.55 (10), p.785-789
2021
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Photoluminescence Spectra of InAs/GaInSb/InAs Quantum Wells in the Mid-Infrared Region
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1119-1122
2020
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Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1096-1102
2020
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Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-11, Vol.52 (11), p.1375-1379
2018
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Second-Harmonic Generation of Subterahertz Gyrotron Radiation by Frequency Doubling in InP:Fe and Its Application for Magnetospectroscopy of Semiconductor Structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1217-1221
2019
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Study of the Auger Recombination Energy Threshold in a Series of Waveguide Heterostructures with HgTe/Cd0.7Hg0.3Te QWs Near 14 μm
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1154-1157
2019
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Continuous-Wave Stimulated Emission in the 10–14-μm Range under Optical Excitation in HgCdTe/CdHgTe-QW Structures with Quasirelativistic Dispersion
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-10, Vol.54 (10), p.1371-1375
2020
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Bipolar Persistent Photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) Double Quantum-Well Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (12), p.1586-1589
2018
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Chemical Shift and Exchange Interaction Energy of the 1s States of Magnesium Donors in Silicon. The Possibility of Stimulated Emission
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1234-1237
2019
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Terahertz Injection Lasers Based on a PbSnSe Solid Solution with an Emission Wavelength up to 50 μm and Their Application in the Magnetospectroscopy of Semiconductors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (12), p.1590-1594
2018
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Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-09, Vol.53 (9), p.1266-1271
2019
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Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-12, Vol.51 (12), p.1557-1561
2017
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Investigation of Stimulated Emission from HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in the 3–5 μm Atmospheric Transparency Window
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-10, Vol.54 (10), p.1365-1370
2020
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On the band spectrum in p-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-12, Vol.51 (12), p.1531-1536
2017
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On the main photoelectric characteristics of three-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in a broad temperature range (–197°C ≤ T ≤ +85°C)
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1356-1361
2016
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Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 μm
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1684-1690
2016
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