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バルク結晶育成における融液中および結晶中の温度勾配測定

日本結晶成長学会誌, 2020, Vol.47(2), pp.47-2-01

太子, 敏則

2020

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ワイドバンドギャップ材料の結晶成長の最前線

日本結晶成長学会誌, 2021, Vol.48(3), pp.48-3-00

2021

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融液からのバルク結晶成長における温度場・温度勾配に関する特集号編集にあたって

日本結晶成長学会誌, 2020, Vol.47(2), pp.47-2-00

2020

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酸化物および化合物半導体バルク結晶成長における温度勾配

日本結晶成長学会誌, 2020, Vol.47(2), pp.47-2-05

2020

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β-Ga2O3単結晶の特集号編集にあたって

日本結晶成長学会誌, 2017, Vol.44(4), pp.5-44-4-00

2017

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固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のバルク単結晶

日本結晶成長学会誌, 2019, Vol.46(1), pp.46-1-04

2019

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垂直ブリッジマン法によるタンタル酸ニオブ酸カリウム（KTN）単結晶の育成と組成均一化

日本結晶成長学会誌, 2016, Vol.43(3), pp.148-154

2016

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バルク結晶成長のこの10年(第5章最近10年の結晶成長の動き,日本結晶成長学会創立40周年記念特集号)

日本結晶成長学会誌, 2015, Vol.42(1), pp.64-68

2015

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第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)開催報告(学会活動報告)

日本結晶成長学会誌, 2016, Vol.42(4), pp.299-304

2016

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第37回結晶成長討論会報告(学会活動報告)

日本結晶成長学会誌, 2014, Vol.40(4), pp.261-264

2014

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液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成

まてりあ, 2011, Vol.50(10), pp.431-438

2011

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1. シリコン・化合物半導体バルク結晶(「The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)」報告)

日本結晶成長学会誌, 2008, Vol.35(2), pp.126

太子, 敏則

2008

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3.半導体バルク結晶(「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告)

日本結晶成長学会誌, 2007/10/31, Vol.34(3), pp.168-169

太子, 敏則

2007

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無ネック無転位シリコン単結晶成長(<特集>最新のブレークスルーとなった成長技術)

日本結晶成長学会誌, 2007, Vol.34(1), pp.17-22

2007

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01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)

日本結晶成長学会誌, 2006/11/01, Vol.33(4), pp.179

2006

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トポ・トモグラフィ技術を併用した放射光白色トポグラフィによる転位の3D構造決定

まてりあ, 2007/12/01, Vol.46(12), pp.823-823

2007

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17aA04 Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)

日本結晶成長学会誌, 2005/08/17, Vol.32(3), pp.112

2005

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19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)

日本結晶成長学会誌, 2005/08/17, Vol.32(3), pp.258

2005

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細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(<小特集>バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)

日本結晶成長学会誌, 2002/12/25, Vol.29(5), pp.413-422

2002

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無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III

日本結晶成長学会誌, 2002/07/01, Vol.29(2), pp.91

2002

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大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)

日本結晶成長学会誌, 2003/07/05, Vol.30(3), pp.61

2003

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Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)

日本結晶成長学会誌, 2003/07/05, Vol.30(3), pp.59

2003

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26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)

日本結晶成長学会誌, 2004/08/25, Vol.31(3), pp.231

2004

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CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム

日本結晶成長学会誌, 2002/07/01, Vol.29(2), pp.16

2002

Volltextzugriff (PDF)

SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)

日本結晶成長学会誌, 2003/07/05, Vol.30(3), pp.60

2003

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液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成

1. シリコン・化合物半導体バルク結晶(「The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)」報告)

3.半導体バルク結晶(「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告)

無ネック無転位シリコン単結晶成長(<特集>最新のブレークスルーとなった成長技術)

01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)

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17aA04 Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)

19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)

細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(<小特集>バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)

無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III

大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)

Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)

26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)

CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム

SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)

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