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Electron-beam-induced current observed for dislocations in diffused 4H-SiC P–N diodes
Applied physics letters, 2004-03, Vol.84 (9), p.1576-1578
2004
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Propagation of stacking faults from surface damage in SiC PiN diodes
Applied physics letters, 2006-02, Vol.88 (6), p.062101-062101-3
2006
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Investigation of the electrical activity of partial dislocations in SiC p - i - n diodes
Applied physics letters, 2005-07, Vol.87 (3), p.033503-033503-3
2005
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Cathodoluminescence study of the properties of stacking faults in 4H-SiC homoepitaxial layers
Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (9)
2009
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Open Access
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Sub-terahertz amplification in a semiconductor superlattice with moving charge domains
Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (4)
2015
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Differences in emission spectra of Si- and C-core partial dislocations
Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (15), p.153503-153503-3
2007
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Defects limiting performance of devices fabricated on GaN/metal heterostructure
Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (21), p.212104-212104-3
2008
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Cathodoluminescence study of the properties of stacking faultsin 4 H -SiC homoepitaxial layers
Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (9), p.092101-092101-3
2009
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Zeitschrift / SerieApplied Physics Letters
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