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Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation
Surface science, 2009-02, Vol.603 (3), p.498-502
2009
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The adsorption of Sb on InAs(110) studied by photoemission and photoelectron diffraction
Surface science, 1995-07, Vol.331-333, p.619-624
1995
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PTCDA film formation on Si(111):H-1×1 surface: total current spectroscopy monitoring
Surface science, 2000-02, Vol.446 (3), p.193-198
2000
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Influence of sulfur on the Sb–GaAs(001) interface
Surface science, 1999-08, Vol.433, p.347-351
1999
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Investigation of Se capping of epitaxial Ga2Se3 layers
Surface science, 1995-07, Vol.331-333, p.631-635
1995
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H2S adsorption on the (110) surfaces of III-V semiconductors
Surface science, 1995-12, Vol.344 (1-2), p.1-10
1995
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Investigation of Se capping of epitaxial Ga 2 Se 3 layers
Surface science, 1995-07, Vol.331-333, p.631-635
1995
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H 2S adsorption on the (110) surfaces of III–V semiconductors
Surface science, 1995, Vol.344 (1), p.1-10
1995
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Low-energy photoelectron diffraction study of epitaxial Sb monolayers on GaAs(110)
Surface science, 1995-07, Vol.331-333, p.564-568
1995
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Chemical-state-specific low-energy photoelectron diffraction on III-V semiconductors
Surface science, 1995-07, Vol.331-333, p.389-394
1995
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Selenium treated (110) surfaces of GaAs and InP: valence band and geometric structure
Surface science, 1994-04, Vol.307, p.650-655
1994
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Low-energy photoelectron diffraction of Ga 3d core levels in GaP(110), GaAs(110) and GaSb(110)
Surface science, 1996-05, Vol.352, p.94-98
1996
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Epitaxial antimony monolayers on III–V(110) surfaces studied by low-energy photoelectron diffraction
Surface science, 1994-04, Vol.307, p.685-690
1994
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In situ optical characterisation with monolayer sensitivity: the As-terminated Si(111) surface
Surface science, 1993-05, Vol.287, p.718-721
1993
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The adsorption of H2S on InP (110) and GaP(110)
Surface science, 1994-04, Vol.307-309, p.223-227
1994
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The adsorption of H 2S on InP (110) and GaP (110)
Surface science, 1994, Vol.307, p.223-227
1994
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Surface electronic structure of monolayer Bi on InP(110)
Surface science, 1993-05, Vol.287, p.554-558
1993
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Investigation of Schottky barrier formation for transition metal overlayers on InP and GaP(110) surfaces
Surface science, 1992-05, Vol.269-270, p.979-987
1992
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Anomalous bandbending in metal/InP interface formation
Surface science, 1991-07, Vol.251-252, p.447-452
1991
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