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Organic light-emitting diode on indium zinc oxide film prepared by ion assisted deposition dc sputtering system
Solid-state electronics, 2002-04, Vol.46 (4), p.477-480
2002
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Optimization of gas flow and etch depth uniformity for plasma etching of large area GaAs wafers
Solid-state electronics, 2002-05, Vol.46 (5), p.685-688
2002
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High-density plasma etch selectivity for the III–V nitrides
Solid-state electronics, 1998-12, Vol.42 (12), p.2269-2276
1998
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Understanding of etch mechanism and etch depth distribution in inductively coupled plasma etching of GaAs
Solid-state electronics, 2001-09, Vol.45 (9), p.1683-1686
2001
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Improving high temperature characteristic of SiGeC/Si heterojunction diode with propane carbon source
Solid-state electronics, 2002-11, Vol.46 (11), p.1949-1952
2002
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Mechanism of high density plasma processes for ion-driven etching of materials
Solid-state electronics, 1999-09, Vol.43 (9), p.1769-1775
1999
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Development of advanced plasma process with an optical emission spectroscopy-based end-point technique for etching of AlGaAs over GaAs in manufacture of heterojunction bipolar transistors
Solid-state electronics, 2002-05, Vol.46 (5), p.773-775
2002
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Device degradation during low temperature ECR-CVD. Part II: GaAs/AlGaAs HBTs
Solid-state electronics, 1998-06, Vol.42 (6), p.1021-1025
1998
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Comparison of dry etch damage in GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors exposed to ECR and ICP Ar plasmas
Solid-state electronics, 1998-05, Vol.42 (5), p.733-742
1998
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Role of inert gas additive on dry etch patterning of InGaP in planar inductively coupled BCl3 plasmas
Solid-state electronics, 2004-01, Vol.48 (1), p.189-192
2004
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Wet chemical etching of NiFe, NiFeCo AND NiMnSb for magnetic device fabrication
Solid-state electronics, 1998-09, Vol.42 (9), p.1705-1710
1998
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Device degradation during low temperature ECR-CVD. PART III: GaAs/InGaP HEMTs
Solid-state electronics, 1998-06, Vol.42 (6), p.1027-1030
1998
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Device degradation during low temperature ECR-CVD. Part I: GaAs MESFETs
Solid-state electronics, 1998-06, Vol.42 (6), p.1015-1020
1998
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Improving turn on voltage and driving voltage of organic electroluminescent devices with nitrogen doped electron transporter
Solid-state electronics, 2003-05, Vol.47 (5), p.927-929
2003
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Comparison of plasma etch techniques for III–V nitrides
Solid-state electronics, 1998-12, Vol.42 (12), p.2259-2267
1998
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  • BibTeX
Dramatic improving luminous efficiency of organic light emitting diodes under low driving current using nitrogen doped hole transporter
Solid-state electronics, 2003-06, Vol.47 (6), p.1127-1130
2003
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  • BibTeX
Recessed gate GaN field effect transistor
Solid-state electronics, 1997-11, Vol.41 (11), p.1819-1820
1997
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  • BibTeX
Low temperature ECR-CVD of SiNX for III-V device passivation
Solid-state electronics, 1998-06, Vol.42 (6), p.1031-1034
1998
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Electrical and optical changes in AlGaAs and InGaP during dielectric etching in ECR SF6 plasmas
Solid-state electronics, 1997-03, Vol.41 (3), p.401-404
1997
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Effect of deposition condition on wet and dry etch rates of device quality inductively coupled plasma-chemically vapor deposited SiNx
Solid-state electronics, 1998-11, Vol.42 (11), p.2017-2021
1998
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  • BibTeX
Investigation of wet etching solutions for In0.5Ga0.5P
Solid-state electronics, 1995-11, Vol.38 (11), p.1871-1874
1995
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  • BibTeX
A new low voltage fast SONOS memory with high- k dielectric
Solid-state electronics, 2003-10, Vol.47 (10), p.1651-1656
2003
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High resolution pattern transfer in III-nitrides using BCl3/Ar inductively coupled plasmas
Solid-state electronics, 1998-09, Vol.42 (9), p.1719-1722
1998
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  • BibTeX
Plasma-induced damage and hydrogenation of AlxGa1−xP
Solid-state electronics, 1996-01, Vol.39 (1), p.1-5
1996
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Stability of hydrogen in ScAlMgO4
Solid-state electronics, 1997-12, Vol.41 (12), p.1943-1945
1997
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