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A 1.86-kV double-layered NiO/β-Ga2O3 vertical p–n heterojunction diode
Applied physics letters, 2020-07, Vol.117 (2)
2020
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(11-22) semipolar InGaN emitters from green to amber on overgrown GaN on micro-rod templates
Applied physics letters, 2015-12, Vol.107 (26)
2015
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2.0 W diode-pumped Er : Yb : Y Al 3 ( B O 3 ) 4 laser at 1.5 - 1.6 μ m
Applied physics letters, 2006-12, Vol.89 (24), p.241111-241111-3
2006
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2.0 W diode-pumped Er:Yb:YAl3(BO3)4 laser at 1.5–1.6μm
Applied physics letters, 2006-12, Vol.89 (24)
2006
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Band alignment of 2D WS2/HfO2 interfaces from x-ray photoelectron spectroscopy and first-principles calculations
Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (17)
2018
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Band-gap control optical Kerr effect and light self-focusing of semiconducting materials CdxHg1−xGa2S4
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (14)
2005
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Band-gap control optical Kerr effect and light self-focusing ofsemiconducting materials Cd x Hg 1 − x Ga 2 S 4
Applied physics letters, 2005-09, Vol.87 (14), p.141905-141905-3
2005
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β-Ga2O3 vertical heterojunction barrier Schottky diodes terminated with p-NiO field limiting rings
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (20)
2021
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Biphotonic self-diffraction in azo-doped polymer film
Applied physics letters, 1997-03, Vol.70 (10), p.1224-1226
1997
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Open Access
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Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n -type liquid encapsulated Czochralski InP
Applied physics letters, 1998-08, Vol.73 (9), p.1275-1277
1998
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Open Access
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Complex refractive index tunability of graphene at 1550 nm wavelength
Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (3)
2015
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Corner-pumped Yb: yttrium aluminum garnet slab laser emitted up to 1 kW
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (10), p.101113-101113-3
2006
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  • BibTeX
A deep level induced by gamma irradiation in Hg1−xCdxTe
Applied physics letters, 1998-07, Vol.73 (1), p.91-92
1998
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Density functional calculations on atomic and electronic structures of amorphous HfO2/Si(001) interface
Applied physics letters, 2009-09, Vol.95 (10)
2009
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Density functional calculations on atomic and electronic structuresof amorphous HfO 2 / Si ( 001 ) interface
Applied physics letters, 2009-09, Vol.95 (10), p.102905-102905-3
2009
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  • BibTeX
Direct synthesis and characterization of CdS nanobelts
Applied physics letters, 2006-07, Vol.89 (3), p.033102-033102-3
2006
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  • BibTeX
Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation
Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (22), p.221906-221906-3
2011
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  • BibTeX
Dislocation dynamics in α-Ga2O3 micropillars from selective-area epitaxy to epitaxial lateral overgrowth
Applied physics letters, 2022-03, Vol.120 (12)
2022
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  • BibTeX
Effect of passivation and aging on the photoluminescence of silicon nanocrystals
Applied physics letters, 2001-12, Vol.79 (24), p.4028-4030
2001
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  • BibTeX
Effect of rapid thermal annealing on carrier lifetimes of arsenic-ion-implanted GaAs
Applied physics letters, 1996-08, Vol.69 (7), p.996-998
1996
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Open Access
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  • BibTeX
Effects of Al addition on the native defects in hafnia
Applied physics letters, 2006-05, Vol.88 (18), p.182903-182903-3
2006
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Effects of anisotropy and spin-asymmetry of ferromagnetic materials in ferromagnetic/Cr2O3/ferromagnetic trilayers
Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (8)
2010
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Effects of anisotropy and spin-asymmetry of ferromagnetic materialsin ferromagnetic/ Cr 2 O 3 /ferromagnetic trilayers
Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (8), p.082501-082501-3
2010
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  • BibTeX
Effects of germanium and carbon coimplantson phosphorus diffusion in silicon
Applied physics letters, 2006-09, Vol.89 (11), p.112104-112104-3
2006
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  • BibTeX
Electrostrictive behavior observed in a low glass-transition temperature photorefractive polymeric composite during a two-beam coupling experiment
Applied physics letters, 1998-06, Vol.72 (23), p.2939-2941
1998
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ThemaMaterials Science
Zeitschrift / SerieApplied Physics Letters
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