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Ionic Metal-Oxide TFTs for Integrated Switching Applications
IEEE transactions on electron devices, 2016-05, Vol.63 (5), p.1921-1927
2016
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Dependence on proton energy of degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2013-03, Vol.31 (2)
2013
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3.8-MV/cm Breakdown Strength of MOVPE-Grown Sn-Doped \beta -Ga2O3 MOSFETs
IEEE electron device letters, 2016-07, Vol.37 (7), p.902-905
2016
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Benefits of Considering More than Temperature Acceleration for GaN HEMT Life Testing
Electronics (Basel), 2016-09, Vol.5 (3), p.32-32
2016
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Implementation of High-Power-Density X -Band AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors in a Millimeter-Wave Monolithic Microwave Integrated Circuit Process
IEEE electron device letters, 2015-10, Vol.36 (10), p.1004-1007
2015
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Thin channel β-Ga 2 O 3 MOSFETs with self-aligned refractory metal gates
Applied physics express, 2019-12, Vol.12 (12), p.126501
2019
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3.8-MV/cm Breakdown Strength of MOVPE-Grown Sn-Doped $\beta $ -Ga 2 O 3 MOSFETs
IEEE electron device letters, 2016-07, Vol.37 (7), p.902-905
2016
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3.8-MV/cm Breakdown Strength of MOVPE-Grown Sn-Doped [Formula Omitted]-Ga2O3 MOSFETs
IEEE electron device letters, 2016-07, Vol.37 (7), p.902
2016
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Implementation of High-Power-Density [Formula Omitted]-Band AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors in a Millimeter-Wave Monolithic Microwave Integrated Circuit Process
IEEE electron device letters, 2015-10, Vol.36 (10), p.1004
2015
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Self-Aligned Gate Thin-Channel β-Ga2O3MOSFETs
2019 Device Research Conference (DRC), 2019, p.219-220
2019
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Investigation of thermal effects in β-Ga2O3 MOSFET using pulsed IV
2016 74th Annual Device Research Conference (DRC), 2016, p.1-2
2016
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Effect of High Temperature on the Performance of AlGaN/GaN T-Gate High-Electron Mobility Transistors With ~140-nm Gate Length
IEEE transactions on electron devices, 2024-03, Vol.71 (3), p.1805-1811
2024
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Effect of High Temperature on the Performance of AlGaN/GaN T-Gate High-Electron Mobility Transistors With $\sim$140-nm Gate Length
IEEE transactions on electron devices, 2024, p.1-7
2024
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High-Performance AlN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate With an Oxidized Gate Insulator
IEEE electron device letters, 2011-12, Vol.32 (12), p.1677-1679
2011
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