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Influence of fluorine implant on boron diffusion: Determination of process modeling parameters
Journal of applied physics, 1995-04, Vol.77 (7), p.3056-3060
1995
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Dependence of the structural and electrical properties of ultrathin cobalt silicide films on formation conditions
Journal of materials research, 1989-02, Vol.4 (1), p.144-155
1989
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Defect distribution in low-temperature molecular beam epitaxy grown Si/Si(100), improved depth profiling with monoenergetic positrons
Applied physics letters, 1995-05, Vol.66 (21), p.2855-2857
1995
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Behavior of intrinsic Si point defects during annealing in vacuum
Applied physics letters, 1995-09, Vol.67 (11), p.1558-1560
1995
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Determination of Si self-interstitial diffusivities from the oxidation-enhanced diffusion in B doping-superlattices: The influence of the marker layers
Journal of applied physics, 1995-03, Vol.77 (5), p.1948-1951
1995
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Time dependence of dopant diffusion in δ-doped Si films and properties of Si point defects
Applied physics letters, 1994-01, Vol.64 (3), p.312-314
1994
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Origin of A- or B-type NiSii2 determined by in in situ transmission electron microscopy and diffraction during growth
Physical review letters, 1988-03, Vol.60 (12), p.1158-1161
1988
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Electron-beam induced current determination of shallow junction depth
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1994-01, Vol.12 (1), p.357-361
1994
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Thermal Dissociation of Hydrogen
The Journal of chemical physics, 1964-05, Vol.40 (9), p.2639-2652
1964
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Adsorption—Desorption of Hydrogen on Tungsten and Molybdenum
The Journal of chemical physics, 1964-05, Vol.40 (9), p.2626-2638
1964
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Tests of Mechanism for Ammonia Synthesis by a Molybdenum Catalyst at Very Low Pressure
The Journal of chemical physics, 1968-01, Vol.48 (12), p.5409-5431
1968
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Reaction of H2 + D2⇆2HD Catalyzed by Molybdenum and Observed by Mass Spectrometer
The Journal of chemical physics, 1968-01, Vol.48 (12), p.5378-5392
1968
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Interpretation of dislocation propagation velocities in strained Ge x Si1− x /Si(100) heterostructures by the diffusive kink pair model
Journal of applied physics, 1991-08, Vol.70 (4), p.2052-2065
1991
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Open Access
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Response to ‘‘Comment on ‘Time dependence of dopant diffusion in δ-doped Si films and properties of Si point defects’ ’’ [Appl. Phys. Lett. 65 , 1320 (1994)]
Applied physics letters, 1994-09, Vol.65 (10), p.1322-1323
1994
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Origin of A - or B -type NiSi i 2 determined by in in situ transmission electron microscopy and diffraction during growth
Physical review letters, 1988-03, Vol.60 (12), p.1158-1161
1988
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Electrical transport and i n   s i t u x-ray studies of the formation of TiSi2 thin films on Si
Applied physics letters, 1987-10, Vol.51 (14), p.1100-1102
1987
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Measuring Vacancy Diffusivity and Vacancy Assisted Clustering by Nitridation Enhanced Diffusion of Sb IN Si(100) Doping Superlattices
MRS proceedings, 1994, Vol.355, Article 157
1994
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Transport studies in single-crystal films of CoSi2 and NiSi2; A new class of quasi-two-dimensional metals
Surface science, 1984-07, Vol.142 (1-3), p.37-42
1984
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Specular Boundary Scattering and Electrical Transport in Single-Crystal Thin Films of Co Si 2
Physical review letters, 1985-04, Vol.54 (16), p.1840-1843
1985
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Si MBE on H-Passivated Si(100)
MRS proceedings, 1992, Vol.259, Article 439
1992
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Electrical Transport Properties of CoSi sub 2 and NiSi sub 2 Thin Films
Applied physics letters, 1984-05, Vol.44 (9), p.913-915
1984
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Electrical transport properties of CoSi sub(2) and NiSi sub(2) thin films
Applied physics letters, 1984-01, Vol.44 (9), p.913-915
1984
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Electrical Transport in Ultrathin Films of CoSi 2 on Si(111)
MRS proceedings, 1987, Vol.91, Article 427
1987
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The Effect of Formation Conditions on the Structural and Electrical Properties of Ultrathin Cobalt Silicide Films
MRS proceedings, 1987, Vol.102, Article 389
1987
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Electrical Transport in Ultrathin Films of CoSi2 on Si(111)
MRS proceedings, 1987, Vol.91
1987
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