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Effects of Deep Trapping States at High Temperatures on Transient Performance of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-04, Vol.52 (4), p.04CF07-04CF07-5
2013
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Investigations of Polarization-Induced Hole Accumulations and Vertical Hole Conductions in GaN/AlGaN Heterostructures
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-08, Vol.52 (8), p.08JJ05-08JJ05-5
2013
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High-Temperature Characteristics in Recessed-Gate AlGaN/GaN Enhancement-Mode Heterostructure Field Effect Transistors with Enhanced-Barrier Structures
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-08, Vol.52 (8), p.08JN18-08JN18-4
2013
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Observation of Side-Gating Effect in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-08, Vol.52 (8), p.08JN28-08JN28-5
2013
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(In)AlGaN Heterojunction Field Effect Transistors and Circuits for High-Power Applications at Microwave and Millimeter-Wave Frequencies
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-08, Vol.52 (8), p.08JN13-08JN13-6
2013
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Quantum Confinement in Thin GaN Cap Layers Deposited on AlGaN/GaN Heterostructures: The Issue of Polar Surface Quantum Well
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-08, Vol.52 (8), p.08JL05-08JL05-5
2013
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Influence of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Regrowth on Characteristics of InAlN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-04, Vol.52 (4), p.04CF02-04CF02-7
2013
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Impact of AlN Spacer on Metal--Semiconductor--Metal Pt--InAlGaN/GaN Heterostructures for Ultraviolet Detection
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-08, Vol.52 (8), p.08JK04-08JK04-4, Article 08JK04
2013
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Electrical Characteristics of Ti/Al Contacts on AlInN:Mg/GaN Heterostructures
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-10, Vol.52 (10), p.10MA07-10MA07-4
2013
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