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Open Access
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Critical Voltage for Electrical Degradation of GaN High-Electron Mobility Transistors
IEEE electron device letters, 2008-04, Vol.29 (4), p.287-289
2008
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Strain and Temperature Dependence of Defect Formation at AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on a Nanometer Scale
IEEE transactions on electron devices, 2012-10, Vol.59 (10), p.2667-2674
2012
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A Simple Current Collapse Measurement Technique for GaN High-Electron Mobility Transistors
IEEE electron device letters, 2008-07, Vol.29 (7), p.665-667
2008
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Traps and defects in pre- and post- stressed AlGaN-GaN high electron mobility transistors
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2011-07, Vol.208 (7), p.1611-1613
2011
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Impact of gate placement on RF power degradation in GaN high electron mobility transistors
Microelectronics and reliability, 2012, Vol.52 (1), p.33-38
2012
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ThemaElectrical And Electronic Engineering
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