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Image segmentation based on multiresolution filtering
Proceedings of 1st International Conference on Image Processing, 1994, Vol.3, p.483-487 vol.3
1994
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Highly Uniform, Self-Compliance, and Forming-Free ALD HfO2-Based RRAM With Ge Doping
IEEE transactions on electron devices, 2012-04, Vol.59 (4), p.1203-1208
2012
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A High-Yield HfOx-Based Unipolar Resistive RAM Employing Ni Electrode Compatible With Si-Diode Selector for Crossbar Integration
IEEE electron device letters, 2011-03, Vol.32 (3), p.396-398
2011
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A Self-Rectifying HfOx-Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode
IEEE electron device letters, 2012-04, Vol.33 (4), p.585-587
2012
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Positive Bias-Induced V Instability in Graphene Field Effect Transistors
IEEE electron device letters, 2012-03, Vol.33 (3), p.339-341
2012
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Temperature Instability of Resistive Switching on \hbox-Based RRAM Devices
IEEE electron device letters, 2010-05, Vol.31 (5), p.476-478
2010
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A High-Yield \hbox-Based Unipolar Resistive RAM Employing Ni Electrode Compatible With Si-Diode Selector for Crossbar Integration
IEEE electron device letters, 2011-03, Vol.32 (3), p.396-398
2011
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Highly Uniform, Self-Compliance, and Forming-Free ALD [Formula Omitted]-Based RRAM With Ge Doping
IEEE transactions on electron devices, 2012-04, Vol.59 (4), p.1203
2012
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Highly Uniform, Self-Compliance, and Forming-Free ALD hbox HfO 2 -Based RRAM With Ge Doping
IEEE transactions on electron devices, 2012-04, Vol.59 (4), p.1203-1208
2012
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Highly Uniform, Self-Compliance, and Forming-Free ALD \hbox -Based RRAM With Ge Doping
IEEE transactions on electron devices, 2012-04, Vol.59 (4), p.1203-1208
2012
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A Self-Rectifying \hbox -Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode
IEEE electron device letters, 2012-04, Vol.33 (4), p.585-587
2012
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A Self-Rectifying hbox HfO x -Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode
IEEE electron device letters, 2012-04, Vol.33 (4), p.585-587
2012
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A Self-Rectifying [Formula Omitted] -Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode
IEEE electron device letters, 2012-04, Vol.33 (4), p.585
2012
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Temperature Instability of Resistive Switching on [Formula Omitted]-Based RRAM Devices
IEEE electron device letters, 2010-05, Vol.31 (5), p.476
2010
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Temperature Instability of Resistive Switching on hbox HfO x -Based RRAM Devices
IEEE electron device letters, 2010-05, Vol.31 (5), p.476-478
2010
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Positive Bias-Induced Vth Instability in Graphene Field Effect Transistors
IEEE electron device letters, 2012, Vol.33 (3), p.339-341
2012
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  • BibTeX
A High-Yield hbox HfO x -Based Unipolar Resistive RAM Employing Ni Electrode Compatible With Si-Diode Selector for Crossbar Integration
IEEE electron device letters, 2011-03, Vol.32 (3), p.396-398
2011
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A High-Yield [Formula Omitted]-Based Unipolar Resistive RAM Employing Ni Electrode Compatible With Si-Diode Selector for Crossbar Integration
IEEE electron device letters, 2011-03, Vol.32 (3), p.396
2011
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High performance unipolar AlOy/HfOx/Ni based RRAM compatible with Si diodes for 3D application
2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 2011, p.44-45
2011
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Self-rectifying and forming-free unipolar HfOx based-high performance RRAM built by fab-avaialbe materials
2011 International Electron Devices Meeting, 2011, p.31.2.1-31.2.4
2011
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[Formula Omitted] Shift in Single-Layer Graphene Field-Effect Transistors and Its Correlation With Raman Inspection
IEEE transactions on device and materials reliability, 2012-06, Vol.12 (2), p.478
2012
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V rm th Shift in Single-Layer Graphene Field-Effect Transistors and Its Correlation With Raman Inspection
IEEE transactions on device and materials reliability, 2012-06, Vol.12 (2), p.478-481
2012
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V Shift in Single-Layer Graphene Field-Effect Transistors and Its Correlation With Raman Inspection
IEEE transactions on device and materials reliability, 2012-06, Vol.12 (2), p.478-481
2012
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